realme|下巴比iPhone 13 Pro更窄的高端旗舰 真我GT2大师探索版降临:正面震撼

此前真我官方公布 , 真我GT2大师探索版将于7月12日正式发布 , 近日也开始逐渐放出与新机相关的物料 。
官方将这款机型称为“年度质感旗舰” , 号称是“工业设计的天花板” 。随着新机发布时间的日益临近 , 网上关于这款机型的爆料也更加密集 。
根据官网的信息 , 真我GT2大师探索版将搭载高通骁龙8+处理器 , 采用了6.7英寸的中置挖孔柔性屏 , 屏占比将达到94.2% , 支持最高120Hz的高刷和DC调光 , 并将具备全局暗色模式 , 影像由一颗5000万像素主摄以及一颗5000万像素超广角摄像头和一颗200万像素微距组成 。
由于高通骁龙8的糟糕表现 , 以及能耗比令人失望和更高的温度 , 都让骁龙8这颗芯片饱受争议 。为了一雪前耻 , 高通也是提前释出了高通骁龙8+这颗芯片 。
除了主频上的提升外 , 还将这颗芯片的代工工作交给了台积电 , 并且是基于台积电的4nm工艺制程打造 , 据说在性能提升的同时将带来更好的温度表现 。
realme|下巴比iPhone 13 Pro更窄的高端旗舰 真我GT2大师探索版降临:正面震撼
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但是真我觉得这还不够 , 在真我GT2大师探索版中采用了三明治立体双VC结构的散热系统 , VC面积达到了4811平方毫米 , 直接将专业游戏手机上的配置搬到了旗舰机上 。同时还将全球首发LPDDR5X内存 , 传输速率从LPDDR5的6.4Gbps提升到了8.5Gbps 。
真我GT2大师探索版的机身采用了金属中框设计 , 重量仅为195g , 同时内置5000mAh大容量电池 , 并首次在手机端引入了氮化镓器件 , 实现了全链路GaN百瓦秒充 , 充至100%仅需25分钟 。搭配100W的氮化镓的充电头 , 官方宣称可将发热峰值降低85%左右 。
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根据知名爆料博主在社交平台晒出的最新真我GT2大师探索版和iPhone 13 Pro的对比照片看出 , 全新的真我GT2大师探索版将采用COP封装工艺 , 直接将屏幕的一部分弯折然后封装 。
此举极大地缩减了下边框的宽度 , 让边框宽度仅为2.37mm , 比iPhone 13 Pro更窄 , 正面效果极为震撼 。海外网友看到照片后给出评论“安卓领先iPhone5年” 。
结合此前的爆料 , 真我GT2大师探索版将采用环保素皮设计 , 将给用户带来极其细腻的握持手感 。并且配以金属铆钉装饰 , 配合硬箱造型的直角金属中框 , 真机散发着一种优雅的气质 。
从工业设计上来说 , 真我GT2大师探索版已经做到了领先同行的水准 , 如果真如传言中所说 , 这款机型的起售价将从3000元起跳 , 那么在市场上将会极具竞争力 。
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