中国经济周刊-经济网讯 天眼查APP显示 ， 6月29日 ， 华为技术有限公司公开“半导体器件及相关模块、电路、制备方法”专利 ， 公开号CN113054010A ， 申请日期为2021年2月 。
专利摘要显示 ， 该器件包括：N型漂移层、P型基极层、N型发射极层、栅极、场截止层和P型集电极层等 。 上述半导体器件 ， 可以有效降低IGBT的集电极与发射极之间的漏电流 。
文章插图
【专利|快讯！华为公开半导体相关专利】新媒体编辑：何颖曦

• 华为|别不信！魅族如今处境，雷军早有预料，小米也早已体验
• 华为|问界M5风光无限，赛力斯SF5暗自神伤，华为或许低估了造车这事？
• 华为鸿蒙系统|华为偷偷上架新机，鸿蒙系统+5000mAh大电池，仅售1399元
• 5G|关于5G，华为赢了
• 华为|华为任正非最新信件曝光：春天很快就会到来！
• 5G|华为利用5G毫米波发现园区入侵者，这让美国5G联盟情何以堪
• ios|华为迎来新里程碑，在新领域旗开得胜！
• 打脸！华为在美国，用专利把英特尔、苹果、微软、高通打败了
• 华为|iOS15.2.1 正式版发布：新增 6 项改进
• 鸿蒙os|麒麟9000再度发力，华为高精度导航让你出行不迷糊