台积电|台积电开始做“小动作”了纳米|it芯片

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近些年来，台积电开始在更先进的制造工艺上持续领先，不仅量产时间要更早，而且在良率和产能上也有优势。
就连一直领先的英特尔也已经难以企及，甚至应该已经将3纳米芯片的生产交给台积电来生产，而英特尔的5纳米工艺还尚未实现。
所以我们看到，就连美国也开始邀请台积电到美建厂，虽然说是邀请，但是显然台积电是不情愿的。

台积电方面已经不止一次的公开表示，到美建厂是美要求的结果，而且也不现实，因为成本太高。
张忠谋就曾经表示，最初到美国建厂是我们太天真了，二十多年前在美建厂的晶圆厂，直到现在也无法降低成本，可以说赚不到什么钱。
而目前在建的5纳米工厂，设备的进场时间又进行了推迟。

不仅如此，之前承诺的补贴也一直没有兑现，而美推出的520亿美元补贴，之前台积电还发声表示不能只补贴美企，然而现在，根据媒体报道，这520亿美元补贴可能也难以实现了。
所以我们看到，台积电本意还是不想在美建厂，而台积电也开始做“小动作”了。
因为台积电开始陆续对外透露自己的建厂计划，首先是在最先进的3纳米和下一阶段的2纳米工艺上。
台积电表示，将会在明年开建8个工厂，分别是4座3纳米工厂和4座2纳米工厂，建厂地点全部在我国台湾。

而台积电总裁魏哲家再次宣布，今年会在全球建设5座晶圆厂，建设地点包括我们南京、台湾和日本熊本。
至此台积电的“小动作”已经非常明显，那就是建厂计划已经公布，没有其他在美继续建厂的新计划。

台积电之所以会这么做，其实并不难理解，美要求台积电去建厂，目的是为了得到最先进的制造技术。

但是对于台积电来说，其在市场中获胜的关键就是因为自己的技术优势，而之前美方面已经要求台积电提供关键数据，近段时间又联合日本要研发2纳米技术，就是为了要使得美重新获得技术领先优势。
显然对于台积电来说这是无法接受的，事实上为了保持自己的技术优势，台积电也一直将最先进的制造工艺建厂在台湾省。
除了技术方面的考虑，台积电还要考虑盈利效应，相信大家也了解到， ASML的下一代EUV光刻机再次涨价，直接翻倍提升到4亿美元一台。

如果台积电将更多的3纳米、2纳米产能在美建设，无疑将会大幅降低台积电的盈利能力。
根据媒体报道称，台积电有望在第二季度超越英特尔，成为全球第二大半导体公司。
这些都是因为台积电将先进制造工厂建设在台湾省的结果。
还有一点就是，台积电是一个面向全球客户的企业，如果将更多的先进工厂在美建设，也会担心受到美的制约，台积电不得不为未来考虑。

更何况台积电的诸多客户都是美企，如果被要求必须在其美工厂生产，那么台积电也将损失严重。
没有足够的利润回流，就无法支撑高投入的研发支出，要知道之所以台积电得以在近些年实现技术领先，与其对EUV光刻机的大力支持不无关系。