纳米|三星全球最先量产GAA3纳米…超差技术再次领先

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纳米|三星全球最先量产GAA3纳米…超差技术再次领先


三星电子30日表示 , 已经开始批量生产搭载全天候(GAA GATE-ALL-AROUND)技术的3纳米(nm?1纳米=10亿分之一米)工艺半导体 。 在以GAA为基础的3纳米工程中 , 三星电子是全球第一家参与半导体制作的企业 。 三星电子继最初生产了3纳米工程的高性能计算(HPC)用系统半导体之后 , 计划通过移动SoC(系统芯片)扩大搭载 。
三星电子之所以能够成功批量生产3纳米工程半导体 , 是因为在世界上首次搭载了下一代GAA技术 , GAA技术是在半导体晶体管中电流通过的4个通道上形成栅极 。 GAA的结构与保护门的上、两侧3个面的现有的FinFET结构相比 , 保护了上、两侧、下4个面 。 利用这种结构 , 克服了晶体管性能低下的问题 , 提高了数据处理速度和功率效率 。

三星电子还追加了自己的技术 。 这是用薄而宽的纳米片(Nanosheet)制作通道的MBCFETGAA结构 。 其优点是 , 与制造又窄又长的通道的普通GAA结构相比 , 可以更精细地调整电流 , 可以设计出高性能、低功率半导体 。
三星电子有关人士表示:“3纳米GAA第一代工程与现有的5纳米FinFET结构相比 , 功率减少了45% , 性能提高了23% , 面积减少了16% 。 ”三星表示 , 预计2023年量产的GAA第二代工程将减少50%的电力、提高30%的性能、缩小35%的面积 。
【纳米|三星全球最先量产GAA3纳米…超差技术再次领先】
三星电子基金事业部部长崔世荣(总经理)说:“三星电子在基金行业率先引进了FinFET和EUV等新技术 , 并迅速发展起来 , 这次也将在世界上首次提供适用MBCFET GAA技术的3纳米工程的基金服务 。 ” , “今后也将积极开发差异化的技术 , 构筑尽快提高工程成熟度的系统” 。
三星在当天发表3纳米半导体的量产时使用了“首次量”一词 。 也就是说 , 目前还不是搭载新技术生产大量半导体的阶段 。 代工产业必须委托他人进行半导体的委托生产 。 从三星的立场来看 , 如果不能确保客户 , 就不能大范围地提供搭载新技术的产品 。

三星电子在业界第一个引进GAA技术 , 为确保多数顾客提供了动力 。 据三星电子称 , 去年这家公司的代工客户达100多家 , 与2017年系统LSI事业部分离代工事业部时的30家相比 , 增加了3倍以上 。 三星的目标是 , 以技术竞争力和投资为基础 , 到2026年确保300个以上的客户 。 因此 , 平泽校区的3条生产线将于今年下半年启动 , 在美国得克萨斯州泰勒也正在建设工厂 。
台积电的半导体代工市场占有率超过5成 , 垄断供应美国苹果自主开发的处理器 , 也就是所谓的“苹果硅” 。 “iPhone”“iPad”“Mac”都使用了这种处理器 。
台积电表示 , 其目标是在今年下半年开始生产3纳米半导体 。 并计划2025年开始生产下一代2纳米半导体 。

在半导体高性能必不可少的精密化方面 , 世界最大的半导体代工厂生产企业台积电和三星的竞争日趋激烈 。