尽管台积电过去几年在7nm、5nm、4nm等先进工艺上占尽优势 ， 但是三星一直在努力追赶 ， 3nm节点将成为三星的一次关键 ， 韩国媒体称三星将在下周宣布3nm工艺量产 ， 进度将领先台积电 。
【三星|功耗降低50% 性能提升35% 三星3nm工艺下周量产】据韩联社消息 ， 接近三星的消息人士称 ， 三星计划在6月最后一周宣布量产3nm工艺的消息 ， 届时三星将会成为全球第一个量产3nm工艺的半导体厂商 ， 台积电的3nm计划是2022年下半年量产 。
5月底 ， 美国总统参观了三星位于平泽市附近的芯片工厂 ， 这里是目前全球唯一一个可以量产3nm工艺的晶圆厂 ， 三星首次公开了3nm工艺制造的12英寸晶圆 ， 不过具体是哪款芯片还不得而知 。
根据三星的说法 ， 与7nm制造工艺相比 ， 3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了45%以上 ， 功耗降低了50% ， 性能提高了约35% ， 纸面参数上来说却是要优于台积电3nm FinFET工艺 。

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