2nm的“世界芯片大战”，已经打响了？( 二 ) 本文来自微信公众号：科工力

为了芯片性能提升， FinFET里面的鳍片数量会下降，这样的话，晶体管驱动电流又会下降，影响性能升级。简单来说， “松紧带”太细太松，穿裤子的人还不敢剧烈运动，因为时间长了还要“掉裤子” 。
但是三星和台积电还是要做3nm的，那就要把结构继续升级，把栅极和漏极彻底包裹住，就成了全环栅晶体管（GAAFET）。栅极四面都裹上了，可不就是“全环栅”吗？

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如果从显微图上看，这个版本的“裤腰带” ，就变成了“带扣皮带” ，控制能力更强。但是好手艺往往费人力，这种晶体管要加工的是纳米片，细节上的工艺不好调整。而且由于加工精度高，产品的良率也会下降。
看到这里，铁头也就理解为啥三星不放出3nm的具体时间表，明白台积电为啥在5nm和4nm之间纠结了。人在愤怒的情况下，什么都可能做，就是做不出来数学题，还有芯片。
不过台积电准备的，是2nm芯片，纳米片晶体管（MBCFET）的技术，也还是要看后续的发展。按照魏哲家的说法，台积电的2nm着重于测试载具的设计与实作、光罩制作、以及硅试产。

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台积电业务发展副总裁KevinZhang表示， CFET只是选项之一，具体生产时间不确定。而且3nm会成为拥有大量需求的长节点，对计算能效有更高要求的客户可以率先转向2nm 。翻译出来就是：这两年台积电的目标是3nm ， 2nm是试着玩的，大家不要想太多。
聊2nm ，不能把三星忘了。面对“裤腰带问题” ，三星在2021年和IBM提出了很激进的思路：竖着放。根据他们的介绍，传统的CMOS是横向构建的，他们换了个思路，垂直放置。所以叫“垂直输送纳米片” 。以前大家都横着系裤腰带，我穿背带裤，就不用考虑“掉裤子”了。

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从市场的角度看， VTFET还是离我们太遥远。三星现在关注的还是3nm比较多，很早就使用了MBCFET晶体管。只不过到现在为止，三星放出来的还是时间表和PPT ，更加详细的技术解析资料还是比较少，所以还是不能太认真。
以铁头对三星面板技术投入的观察，三星在先期技术路线上的选择是很激进的，抢到先进技术，就要砸大量的资源占山为王。三星在OLED领域当时就是引进日本技术后重金投入，最后砸出了个QD-OLED 。这种决心不可小视。
但是三星的良率一直是个问题，之前三星的旗舰移动处理器Exynos2200就是雷声大雨点小，甚至还有紧急撤销宣发的情况。如果三星内部的力量还不能有效整合， 2nm也可能会虎头蛇尾。
三、诸侯争霸，三家称王
既然说是“全球2nm技术战”了，铁头就再聊聊美国、日本和欧洲的情况。
美国方面，目前英特尔公布的路线图显示， 2024年Intel20A（对标行业的2nm）将会问世，对应的技术叫做“RibbonFET” 。首先，这个预期要比台积电2025年的目标提前一年。其次，英特尔的计划是一年实现一个技术节点，要比台积电和三星激进。
铁头对比了一下三星和台积电的进程，发现三星和台积电的节点是2023年实现3nm商用。如果今年年底英特尔能放出自己的4nm工艺。说明英特尔的预定计划已经阶段性完成，会对台积电和三星造成不小的压力。