ARM|内外交困今年的ARM新架构估计有点悬( 二 ) 芯片|高通骁龙|it芯片

从而导致使用超大X架构的旗舰芯片，都出现了较为严重的发热问题，即便是现阶段功耗表现较好的天玑9000芯片，其超大核心的功耗也居高不下。这也是不少人认为， ARM在架构设计方向上出现了严重问题，背离了ARM芯片原有的低功耗特性的道路。

而在架构导致功耗急剧攀升的同时，新架构在性能上，也达不到ARM宣传的提升幅度。从今年的芯片产品来看，使用A78架构的天玑8000系列一战封神，被称为神U；使用A77架构，而源于骁龙865使用A77架构的骁龙870 ，更是三年一U ，依旧张力不减；至于被称为性能与功耗最佳平衡和麒麟9000 ，使用的也是A77架构。而天玑9000、骁龙8等旗舰芯片，虽然在核心架构上，已经比天玑8000领先了1~2代，在工艺上，也使用了最先进的4nm工艺，甚至1+3+4的架构，也比天玑8000的4+4架构更适合跑分。但在性能上，天玑9000也只比天玑8000领先了20%左右。如果按照ARM每次新架构发布的性能提升，仅在架构上，就已经不止这一幅度的提升。难道，工艺和1+3+4给新处理器带来的是负优化？

在这种情况下，无论从公司结构还是产品线上来说，也许ARM现阶段最需要的不是拓展，而是调整，尤其是产品线和架构上。在这种情况下，暂缓一年发布，以打磨架构，加强技术积淀。或是以小步快跑的方式，对现有的核心进行修改和调整，但这样的小改核心，再进行宣传和发布，似乎是意义不大，这会是ARM迄今为止还未进行发架构发布的原因吗？
缺芯或延缓制程进化
而制程的进化，也是推进新架构制造和性能提升的重要助力，而无论是台积电还是三星，在今年并没有推进制程的进化，因此今年的芯片，显然无法享受进程提升带来的红利。而从现有情况来看，也许制程的推进，会比计划中要慢得多。这不仅因为3nm是一个完整工艺，其进化需要做出更多的改进。而在逼近物理极限后，每一次进程进化，难度都是极高的。
而此轮全行业的缺芯事件，不仅不能推动厂家在新制程上进化，甚至会在相当程度上，延缓厂家推出新制程的进度。其原因也很简单，全面缺芯，固然会拉动芯片代工厂的投资热情，但其投资，会集中在需求火热的的成熟工艺上，以迅速扩张产能。而全新工艺，往往是基于旧生产线的升级改造完成的，在火热需求下，厂家也不太愿意对原有生产线停产改造，而建立全新生产线，不仅投资会增加，而且建设周期也会响应延长。
这也许是三星3nm工艺原计划2021商业化量产，如今却只能连连推迟的原因吧，而台积电原计划2022年底商业化量产3nm ，从现在看来，难度也极高（在文章写完后，根据最新的台积电制程线路图看， 3nm工艺量产已经推迟到2023年）。以笔者看来，也许要明年年底才能看到厂家推出使用3nm技术的旗舰芯片。

年底的新旗舰芯片会怎样？

肯定没有新制程，甚至可能没有新核心，那今年还会有新的芯片吗？答案是肯定有的，毕竟，如今在微博等平台上，已经有高通SM8550 ，也就是骁龙8 Gen 2的消息。

在新旗舰的性能提升，在相当程度上依赖ARM新架构的性能提升时，在高通推出的旗舰芯片已经连续多年被尊称为火龙时。如果今年ARM的新架构在发布节奏和提升重点上出现变化的话，那么其变动将直接反映到旗舰芯片的产品端上。如果ARM的节奏能放缓，并重回重视功耗的旧有道路上的话，也许今年的旗舰芯片会改变这些年来过于追求性能提升，但最终却出现性能提升有限、功耗大幅提升的旧有状态。

ARM|内外交困 今年的ARM新架构估计有点悬( 二 )

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