galaxy z flip|秒速体验，极致性价比——雷克沙NM760固态硬盘 galaxy z flip

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前言：
PCIe4.0的到来，让固态硬盘的性能再上一个台阶，现在如果装机，传统的SATA3产品已经不再是最优选择，打开电商平台随便一搜，也会发现，传输速度更快的PCIe产品更受消费者的青睐，时下主流PCIe SSD基本都采用的是3.0的传输通道，作为一个游戏发烧友， PCIe 4.0的SSD或许是更好的选择，此次用雷克沙的NM760这款定位中端的PCIe 4.0 SSD一睹极速传输的风采。
开箱：

雷克沙NM760目前有512G和1T两个版本可以选择，这款是512G的版本，外包装右上角有这块盘的规格信息，左下角标写有它的读取速度，盒子背面还标写有更为详细的参数。

附件就一个说明书和固定螺丝，正常操作。

雷克沙NM760 512GB是标准的2280 M.2接口的SSD ，纯黑的PCB板很有质感，主控和颗粒上胶贴着它的型号，此款SSD采用了单面颗粒设计，所以全平台可兼容，并且它也支持向下兼容PCIe 3.0 。

背面的贴纸上印有更为详细的规格信息，包括产地， S/N码等。

揭开正面的贴纸可以看到，主控、NAND等信息。

雷克沙NM760 512GB采用了慧荣的SM2269XT主控芯片，支持NVMe 1.4和PCIe 4.0 x4协议，采用了新一代的12nm制程工艺，相比前代采用的28nm工艺，拥有更为出色的性能，温控和功耗都更低一些。

两颗256G的颗粒来自江波龙自封的镁光3D TLC闪存颗粒。
上机测试：
CPU：Intel酷睿 i7-11700F
主板：微星 B560M MORTAR 迫击炮
内存：酷兽夜枭 16gX2 3000MHz
系统：Windows 10 专业版20H2

通过CrystalDiskInfo可以看到雷克沙NM760 512GB传输模式为PCIe4.0 x4 ，支持NVMe 1.4标准，通电2小时后的温度为38℃ ，温控还是挺不错的。

AS SSD Benchmark基准性能测试，选用1GB数据样本， NM760 512GB固态硬盘的持续读取速度为4411MB/s ，而写入速度为3549MB/s 。

CDM同样1G样本测试， NM760 512GB固态硬盘最大连续读写速度分别为5278MB/s和2848MB/s 。

再来看看TxBENCH的表现， NM760 512GB固态硬盘最大连续读写速度分别为5293MB/s和4046MB/s ， TxBENCH的测试数据跟官宣的读取速度5300MB/s和写入速度4000MB/s最为接近。

节目的最后跑跑ATTO磁盘基准测试， 128KB后的读取写入速度相当接近，最终测得最大读取和写入速度为：4.9GB/s和3.7GB/s ，表现相当稳定。

再来拿一个54GB的样本文件，来测测NM760 512GB固态硬盘在实际读写中的表现如何。

实际读写测试中， NM760 512GB固态硬盘写入速度基本维持在2GB/s的样子。

实际读写测试中， NM760 512GB固态硬盘读取速度基本和写入速度持平，同样维持在2GB/s的样子，这速度对比此前使用的机械硬盘和SATA接口的SSD ，已经是天壤之别，真的是秒传。