近日|华为与中科院共研新3D DRAM芯片有望突破存储关键根技术近日

近日，有日本媒体表示，华为将在VLSISymposium2022期间发表其与中科院微电子研究所合作开发的3DDRAM技术，进行各种有关内存的演示。
据外媒透露，华为这次发布的3DDRAM技术，是基于铟镓锌氧IGZO-FET材料的CAA构型晶体管3DDRAM技术，具有出色的温度稳定性和可靠性。

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【近日|华为与中科院共研新3D DRAM芯片有望突破存储关键根技术】在华为此前发布的存储器相关文章——《华为麒麟带你一图看懂存储器》中，华为表示随着芯片尺寸的微缩， DRAM工艺微缩将越来越困难， “摩尔定律”走向极限，因此各大厂商在研究3DDRAM作为解决方案来延续DRAM的使用。
而在IEDM2021上，中科院微电子所团队联合华为海思，提出了新型垂直环形沟道器件结构（CAA）。据悉，该结构减小了器件面积，支持多层堆叠。其通过将上下两个CAA器件直接相连，每个存储单元的尺寸可减小至4F2 。

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责任编辑：宪瑞文章纠错
话题标签：华为DRAM内存颗粒

近日|华为与中科院共研 新3D DRAM芯片有望突破存储关键根技术

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