台积电已经多次明确，3nm将在下半年规模投产 。
不过，台积电的3nm依然延续的是FinFET（鳍式场效应）晶体管结构，而非三星那套难度更高的GAA晶体管 。然而，台积电明显道行更深，知道当前制程节点命名混乱，谁的良率高显然更能占得先机 。
而接下来，台积电似乎不打算糊弄了，甚至要绕过2nm，直奔1.4mm 。
BK报道称，台积电3nm研发团队将在6月份全面转投1.4nm节点的开发工作 。
对手三星在去年的代工会议上曾预期，2025年量产2nm，没想到又一次被台积电“背刺”了 。
至于同样雄心勃勃的Intel，则打算2024年下半年生产1.8nm工艺产品 。一场关乎摩尔定律荣耀的制程“军备竞赛”，再度拉开序幕了 。
【Intel|背刺三星 台积电绕过2nm：直奔1.4nm去了】
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