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三星3nm传来喜讯！攻克低良率，量产在即！
全球先进芯片代工巨头三星公司最近因为高通骁龙8Gen1的性能问题，一直比较低调，没有太多的新闻出来，因为之前传闻三星的3nm的良品率仅有35% ，距离台积电80%起跳的良品率差距着实太远。
很多人都断定了在先进制程芯片的博弈中，台积电走在了前面，加上台积电最近的发布了芯片键合工艺和连续接到英特尔、苹果、AMD的大订单，三星基本完败。

不过，近日，沉默许久的三星传出了一个好消息，称已经解决了三星3nm良率问题， 3nmGAA制程将如期量产。

三星3nm传来喜讯3nm量产在即
据台湾电子时报近日的报道称，业界传出三星已经解决了3nm良品率过低的问题，将采用GAA制程工艺量产3nm制程芯片。此前，三星曾向外界透露消息称在这几周内将开启大规模的3GAE的工艺生产。
三星透露消息称，三星的5nm工艺目前已经达到了批量生产的成熟工艺阶段， 4nm将会很快得到改善，目前正在进行产品稳定的最后的冲刺。

在3nm的制程工艺中，三星改善了节点的开发体系，将对每一个开发流程做完整的验证，确保每一个工艺环节均达到标准，以保证整体产品的质量和合格率。

三星全球首发GAA晶体管工艺用于3nm量产
三星将在接下来的3nm制程工艺中采用自己研发的GAA晶体管工艺，放弃FinFET晶体管技术，这对于三星来说也是一个挑战，在工艺上采用和台积电不一样的新工艺，可以为三星吸引更多的大客户。
GAA是三星自行研发的新型的环绕栅极晶体管，通过使用纳米设备来制造出多桥通道场效应管，据介绍，这种技术可以是3nm的逻辑面积的效率提高45%以上，功耗可以降低50% ，总体性能可以提高35% 。

如果根据理论数据来进行对比， GAA工艺确实比台积电的３那么FinFET的工艺更加优越。这也是三星之前芯片技术推进计划的按期完成的时间表，早些时候，三星曾经公布说计划在２０２２年的上半年量产第一代的3nm工艺， 2023年量产第二代的3nm工艺。
三星重振旗鼓
之前，高通因为三星4nm制程工艺的良品率过低而跳票去台积电的事情，也给三星一个重大的打击。而且在去年三星在和台积电争夺英伟达7nm的GPU代理又在再次失败。对于三星来说，如果失去英伟达和高通者两大客户，三星的在晶圆代工业务上损失惨重。

当然，除了良品率，也许三星可以在代工价格上面略为做出让步来挽回部分客户，但是测试新工艺，也使得很多IC芯片公司冒着巨大的风险，而三星的新工艺需要大量的订单来进行打磨和改善。

好消息是三星终于可以发布自己的新的３ｎｍ工艺，也希望用新工艺在提高芯片性能和降低成本上富有强有力的竞争力。毕竟全球的芯片荒持续不断，全球都迫切希望多一些芯片的代工厂来帮忙提升芯片产能。
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