台积电确认苹果M1 Ultra采用InFO-LSI封装,将两个M1 Max拼到一起

IT之家4月28日消息 , 在M1Ultra官方发布会上 , 苹果介绍其MacStudio中的M1Ultra时表示 , 这是最强大的定制AppleSilicon , 它使用UltraFusion芯片对芯片互连技术 , 从而实现了2.5TB/s的带宽 。
台积电确认苹果M1 Ultra采用InFO-LSI封装,将两个M1 Max拼到一起
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从介绍来看 , 这涉及到两个M1Max芯片协同工作的问题 。 台积电现已证实 , 苹果M1Ultra芯片其实并未采用传统的CoWoS-S2.5D封装生产 , 而是使用了本地的芯片互连(LSI)的集成InFO(IntegratedFan-out)芯片 。
IT之家了解到 , 苹果最新的M1系列产品基于台积电5nm工艺技术 , 但之前有媒体称其通用采用了台积电CoWoS-S(chip-on-wafer-onsubstratewithsiliconinterposer)封装工艺 。 当然 , 台积电在使用其CoWoS封装平台为网络IC和超大AI芯片等多种芯片解决方案供应商提供服务方面拥有丰富经验 , 而且台积电还一直在使用先进工艺和InFO_PoP技术制造iPhone芯片 。
实际上有很多种可以将芯片组桥接进行相互通信 , 但台积电的InFO_LI可以降低成本 。 半导体封装工程专业人士TomWassick放出了一张台积电在3DIC和异构集成国际研讨会上呈现的PPT , 阐明了其封装方法 , 显示苹果这次使用了InFO_LI技术 。
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总的来说 , CoWoS-S是一种非常不错的方法 , 但要比InFO_LI更贵 。 除了这一点之外 , Apple没必要选择CoWoS-S , 毕竟M1Ultra只需要完成两个M1Max芯片的相互通信 , 而所有其他组件 , 包括统一的RAM、GPU和其他组件都是芯片中的一部分 , 因此 , 除非M1Ultra改用信新型多芯片设计和更快的内存(如HBM) , 否则InFO_LI对Apple来说就是更好的选择 。
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具体而言 , InFO-LSI技术需要将一个本地LSI(siliconinterconnection)与一个重分布层RDL(redistributionlayer)相关联 。 与CoWoS-S相比 , InFO-LSI的主要优势在于其较低的成本 。
CoWos-S需要用到大量完全由硅制成的大型中介层 , 因此成本非常昂贵;但InFO_LI凑合着用了本地化的芯片互连技术 , 总的来说没什么太大影响 。
台积电确认苹果M1 Ultra采用InFO-LSI封装,将两个M1 Max拼到一起】值得一提的是 , 彭博社MarkGurman称 , 苹果新一代MacPro已经准备就绪 , 它将搭载一款更强的芯片 , 也就是M1Ultra的“继任者” 。 据称 , 这款产品的代号为J180 , 此前的信息暗示 , 这款产品将采用台积电的下一代4nm工艺量产 , 而不是目前的5nm工艺 。
有传言称 , 新的苹果芯片将具有两个M1Ultra相结合(4个M1Max) 。 Gurman早些时候表示 , 这款工作站将采用定制的芯片 , 最多可支持40核CPU和128核GPU , 性能值得期待 , 定价同样美丽 。