首批EUV光刻机交付，英特尔“4nm”将量产？反超台积电有戏吗？( 二 ) 这几年

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从2014年至2021年，三星与台积电共推出了6个节点，而英特尔只推出2个，可以看到，英特尔的整个节点跨度往往都比较大，被网友冠名“祖传牙膏厂” ，确实也不怨。虽然英特尔也在各个节点之间进行了不同程度的小幅度迭代，比如英特尔14nm ，总共就发布了高达5个“+”号版本。但是总的来说，不管是台积电、三星的“小步快跑” ，还是英特尔式的“大步跨跃” ，事实情况就是，
2010年之前，英特尔从领先一两代工艺，到2016年的10nm阶段，台积电和三星就已经开始完成了，对于英特尔制程技术，全面且彻底的超越。从数据的角度，台积电和三星的5nm与英特尔10nm相比，从晶体管密度上看，台积电N5工艺，是要明显远远领先于三星和英特尔。
EUV三大厂时间表对比这里总结一下目前三大EUV晶圆厂的情况， TSMC和三星的3nm都还在处于试量产阶段，台积电的3nm依然采用了FinFET工艺。虽然此前传出，台积电3nm良率方面存在困难，但是从最新的消息看，台积电一直在调低规格，比如密度提升从1.7倍，调低到了1.6倍，包括使用更少的EUV光刻层，说是N3B会按计划在下半年进行量产。不过3nm的iPhone估计最早也要在23年的第二或者第三季度才能上市。
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三星方面，不同于台积电依然坚持FinFET工艺，三星开始全面拥抱GAA围栅纳米片技术，我也大概介绍一下GAA工艺，
相比FinFET ， GAA等于是多了一个内侧墙工艺模块，一定程度上解决了栅极间距尺寸减小，带来的包括漏洞等各种问题。但是相对于FinFET ， GAA是全新的工艺，对间隙的均匀性控制要求极高，很多工艺和专利目前还无法与FinFET兼容
【首批EUV光刻机交付，英特尔“4nm”将量产？反超台积电有戏吗？】，从账面数据上看，三星3nm是个“虚标怪” ，肯定是没跑了。三星3nm的低功耗版本（3GAE），密度提升只有区区1.35倍，虽然三星使用了GAA技术，但是晶体管密度也只有170万，可能还不如台积电的N5P 。最近又传出了三星GAA3nm良率彻底翻车的情况。听说目前，还没有一家厂商敢下单，三星准备用自己内部产品来做这个实验“小白鼠” 。而客户版高功耗版（3GAP），我个人预计，三星最早最早起码也要在2023年底量产。