芯片|重大突破，事关3nm芯片！台积电|三星|营收|it芯片

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芯片紧缺的热潮在这两年愈演愈烈，持续了这么久的时间还没有一点减缓的现象。在智能手机、智能汽车和其他电子产业的高速发展加持下，半导体产业迎来了发展高峰。

但由于众所周知的原因， “在瓦纳森协定”的影响下，在协定范围内的成员无法对外出售相关技术的设备。作为全球最大的光刻设备制造商——ASML公司的光刻设备也就无法自由出货了。
在光刻机无法订购到的情况下，很多芯片代工厂即使有心扩大产能提升工艺也是有心无力，但对于迫在眉睫的芯片紧缺问题又不能坐视不理。
基于这种情况，有些芯片大厂开始着手先进制程芯片的自产自研。如台积电（tsmc）、三星（Samsung）、和中芯国际（SMIC）等企业就纷纷加大了芯片工艺的研发力度。

三星和台积电的高制程芯片之争其中三星和台积电作为全球数一数二的芯片制造龙头，业界公认这两家是最有可能率先研发出先进工艺的企业。
在7nm制程上，这两家目前都已经能够实现量产，接下来就是在更先进的5nm、4nm甚至是3nm制程的争夺战。台积电的鳍式场效晶体管（FinFET）架构和三星的环绕闸极（GAA）制程的对决是目前业内人士广泛关注的。
但说实话，就目前已经是最先进的5nm技术上来看，在稳定性与良品率方面台积电无疑是更占优势的，三星的良品率问题已经是老毛病了。

像高通和英伟达之前的5nm芯片一开始是交由三星代工的，但由于良品率问题，只能将芯片转交给台积电代工。
这两大客户的“叛变”可把三星给气的，为了扳回一城，三星决定在3nm制程上和台积电一决胜负。
基于GAA工艺，三星在2021年6月成功实现了3nm制程芯片的流片，三星对自家的3nm芯片显得颇为自信，称自家以GAA工艺打造出来的3nm芯片，要比台积电基于3nm FinFET架构制出的芯片在性能及稳定性上更占优势。
结果三星没能开心多久，在3nm芯片刚研发出来没几天，已经达到量产阶段的4nm制程芯片又出现了良品率过低的问题。以至于三星不得不放缓3nm制程芯片的研发进度，将重心集中在4nm制程工艺的维护与完善上。

所以在过去一年来，三星的3nm工艺技术几乎毫无进步，在今年被台积电后来居上了。三星这回可谓是起了个大早，却赶了个晚集。
台积电在3nm制程上取得重大突破根据台湾媒体《联合报》报道，台积电的 3nm 制程在近期取得重大突破。
台积电已经研发出3nm高级工艺“ N3B” ，新技术将于8月在新竹 12 厂研发中心第八期工厂及南科 18 厂 P5 厂进行同步投片实现量产，预计初期的产量将在每月 4 万到 5 万片之间。
继“ N3B”工艺之后很快会再进行技术升级，推出高级变体“N3E” 。 “N3E”技术预计在明年投入生产。
之前台积电的3nm制程还因开发时程一度延误，导致苹果新一代的处理器仍然只能采用 5nm 加强版 N4P 。