图5 1 cm激光棒450 nm的LI和WPE曲线[6
(左) ， 不同工作电流下不同波长的激光棒光谱[5
(右) 。
如今 ， 与基于GaAs的红外激光光源的可比系统相比 ， 基于GaN的用于发射450 nm光的激光二极管仍然表现出较低的效率和较低的总输出功率 。 此外 ， 由于组件更昂贵 ， 而且这种新型材料系统的产量较低 ， 生产成本仍然高得多 。 然而 ， 它们具有独特的优势 ， 即一些材料吸收红外光相当差 ， 而对蓝光或紫外光的吸收很好 ， 如图6所示 。

图6铜、铜、金、金的吸收光谱 。
有几家公司已经成功地将发射波长为450 nm的氮化镓激光二极管整合到输出功率超过1 kW的系统中 。 这些激光器是专为使用蓝光超强吸收的重型材料加工而设计的 。 在一些应用中 ， 所有的蓝色和混合系统已经证明了它们比纯红外系统更好的性能 。 可以预见 ， 随着成本的稳步降低 ， 输出功率和效率的提高 ， 越来越多的系统将使用GaN二极管作为它们的光源 。
来源：Blue High-Power Laser Diodes–Beam Sources for Novel Applications Photonics Views DOI:10.1002/phvs.202000018
【激光器|蓝色高功率激光二极管——用于新型应用的束源】参考文献：T. Hager U. StraussC. Eichler et al.: Power blue and green laser diodes and their applications Proc. SPIE 8640 864015 (2013).

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