光刻机|华为刚官宣，光刻机就传来新消息，外媒：ASML大意了芯片|华为|asml|it芯片

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说到光刻机，现在大家应该不再陌生，已经知道，光刻机的工艺水平，就决定了一颗芯片的工艺水平，而采用更先进的工艺，那么在芯片面积不变的情况下，就可以集成更多的晶体管，以此来提升芯片的计算性能。

可以说芯片产业从出现开始到现在的几十年，通过提供制造工艺来提升芯片性能的措施，几乎没有发生任何变化，当然，我们并不排除改善芯片架构也可以提升芯片性能，但是显然，提升芯片工艺，集成更多晶体管的方法要更高效。
但是芯片的制造工艺越来越难以提升，从7纳米之后，便需要采用极紫外光的EUV光刻机，这种光刻机价格高昂，但是生产效率低下，导致芯片制造的成本高企，而且难以控制良品率。

所以虽然只有ASML可以提供EUV光刻机，但是对于芯片制造商和芯片设计商来说，更希望有其他更低成本的措施。
近日华为发布了2021年的年报信息，其中我们注意到，华为轮值董事长郭平也谈到了芯片问题，我们知道华为无法得到先进芯片制造工艺服务，而郭平表示，未来华为可能会采用多核结构，用堆叠、面积来换取芯片的性能。
其实在华为此次官宣之前，苹果就发布了采用该种“多核”结构的M1 Ultra ，简单来说，就是不提升制造工艺，将两颗芯片集成到一起，形成一颗芯片，结果显示性能提升显著。

【光刻机|华为刚官宣，光刻机就传来新消息，外媒：ASML大意了】

所以华为的方法是可行的，而现在，我们看到光刻机市场又传来新的消息，根据媒体报道称，同样是光刻机制造大厂的佳能，正在开发一款3D光刻机，预计将会在2023年上半年上市。
佳能似乎已经看出了EUV光刻机的弊端和客户的需求，这款3D光刻机就是通过堆叠多个半导体芯片，使其紧密连接来提高性能，这似乎说明，华为在芯片上的决定是正确的，是可以期待的未来发展方向。
但同时我们也看到， ASML所生产的EUV光刻机，在未来将不再是提升芯片性能的唯一选择，通过芯片堆叠技术，即使不采用EUV光刻机，不采用那些最先进的制造工艺，同样可以达到芯片性能的提升。

所以有外媒表示， ASML大意了，这是不是说明ASML“不香”了呢？
起码我们看到，既然采用芯片堆叠的方式，不用先进的光刻机，也可以解决芯片的性能提升问题，而且成本更低，那么无疑就会让芯片代工厂，减少对EUV光刻机的采购。
当然，我们认为， EUV光刻机也还会有它的市场存在，因为上面我们也谈到了，芯片堆叠的方式，其实是牺牲了面积，也会牺牲空间，因此对于一些对性能要求很高，但是设备很小的领域，还是需要EUV光刻机。

但是这类产品不多，即便是在智能手机上，由于现在手机的屏幕已经越来越大，而且正在向折叠屏方向发展，所以智能手机的芯片，也可以通过利用面积换性能的方式，不是必须要将芯片做小。
因此对于外媒的表示，我们认为ASML的EUV光刻机，会不如以前香了，尤其是目前来看，从设备供应商、芯片代工商和芯片设计商三方，都在加码芯片堆叠此类技术的发展。