半导体|36氪首发 | 「安建半导体」获1.8亿元B轮融资，抓住半导体功率器件的中国机遇( 二 ) 36氪|B轮融资|创投圈

未来，「安建半导体」还将针对不同应用场景还将继续开发不同性能和不同规格的产品，实现功率器件所有电压和电流全覆盖，完成做全系列高低压MOS管和IGBT产品的目标。
「安建半导体」供图
同时，「安建半导体」还计划推出车规级产品。「安建半导体」A轮投资方海阔天空创投联合创办人及管理合伙人文立表示， IGBT是数百亿美元级别的赛道，近几年多在电车、储能、光伏、高压电等领域得到广泛应用。
这些领域恰好也是近几年逐渐成为风口的新物种，因此该领域功率器件还未实现标准化。尤其是汽车领域对安全性的追求较高，也就同样要求功率器件具有非常高的可靠性。单建安向36氪透露，「安建半导体」正在与上海汽车商谈战略合作，研发应用于其新能车的IGBT产品。
另一探索点是朝着第三代半导体的趋势做研发。目前，传统半导体的衬底多以硅为主，而第三代SiC半导体是将碳化硅取代硅作为衬底，这可以使新一代半导体更薄、更轻、更小巧，并能够在大电压大电流场景中实现更高性能。「安建半导体」现有产品仍是以硅为衬底，未来将会用碳化硅材料开发更多的功率器件产品。
此外，「安建半导体」还希望打通制造环节。全球主流厂商都是IDM模式（设计制造一体化），其优势是设计和制造环节能够更好的配合。而中国鲜有IDM企业，「安建半导体」计划在未来组建模块制造厂，再和晶圆制造厂做绑定合作，这是一种虚拟IDM模式? 。
团队方面，创始人单建安本硕博毕业于加拿大多伦多大学电气工程专业， 1988年博士毕业后任美国纽约飞利浦研究所高级研究员， 1991年回国一同创办香港科技大学，任电子与计算机工程系教授。在港科大任教期间，单建安一直在做功率器件的技术储备和人才培训， 2015年受邀参与中国香港上市公司华虹半导体重要会议，会议决定双方绑定合作，次年正式成立「安建半导体」研发半导体功率器件。
谈及初心，单建安向36氪表示， “自就读加拿大多伦多大学以来，在国外共生活了17年，但自始至终没有在异国常住的计划，当时看到中美在这个领域的差距，无时无刻不想着早日回国为祖国半导体事业贡献自己的力量。 ”
最后作为补充，我们对不同应用场景中不同功率器件和不同封装技术进行说明。按照功率高低进行划分，低电流低功率场景中通常封装到单管，而在高电流高功率场景中，单管往往是不足以支撑的，所以需要将多个功率器件封装到一个模块里。 MOS管和IGBT的区别也体现于此：MOS管由于其自身阻抗大的特点，天然不适用于大电流场景，因此MOS管多为单管，而IGBT既能封装到单管也能封装到IGBT模块。
「安建半导体」IGBT单管（左）、IGBT模块（右）
「安建半导体」投资方观点：
超越摩尔董事总经理史晶星博士表示，功率器件是中国最大概率可以实现弯道超车的赛道，也一直是超越摩尔的重点布局方向之一。
弘鼎创投资深经理潘本闳表示，目前，安建半导体产品主要面向工业场景，这一领域的高电压大电流产品以国外为主，在高性能领域，中国企业面临很高的进入壁垒。安建半导体团队有非常深厚的技术底蕴，产品已经多方认证，看好安建在该领域的国产化替代空间。另外，当下新能车逐步替代燃油车，电的供应成为下一个要考虑的问题，以优化用电的方式提高效能将成为行业趋势，未来该领域将成为安建半导体的一大增长点。
龙鼎投资总经理姚鹏也认为，安建半导体能够在国内落地，适应了时代向汽车电动化以及新能源发展的方向，更弥补了行业的不足。