红米手机|在这项配置上,Redmi K50要挑战行业最强

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红米手机|在这项配置上,Redmi K50要挑战行业最强

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【红米手机|在这项配置上,Redmi K50要挑战行业最强】红米手机|在这项配置上,Redmi K50要挑战行业最强

Redmi K50 系列新机明晚发布 , 官方披露了新机在续航方面特性 。
Redmi K50 系列新机在续航方面的配置很好概括:5000mAh 电池容量+120W的超级快充 。

官方表示 , 在120W超级快充的辅助下 , Redmi K50 系列充满这块5000mAh的电池总共只需要19分钟(Redmi实验室数据) 。 这也是目前旗舰机中的顶级水准 。

传统意义上讲 , “大容量”和“高功率快充”很难同时实现 。 传统的百瓦级快充方案 , 往往会采用“双电芯”方案 。 双电芯 , 简单来说就是一块电池内部有两块电芯 。 可以同时以较高的电流对两块电芯进行充电 , 达到充电效率翻倍的目的 。 另外双电芯设计电池是两块电芯同时充电 , 这也解决了单电芯电池无法长时间维持峰值充电功率的缺陷 。

但双电芯方案也有不足的地方 , 首先就是其内部“两块电池”需要额外的电池封装空间 。 所以在内部空间恒定的前提下 , 双电芯方案的电池容量一般要小于单电芯的电池 。 而更为关键的是 , 虽说双电芯提升手机的充电功率 , 但是双电芯的串联会导致电压翻倍 , 双电芯方案持续的大电压输出会最终导致电池能量的过度耗损 , 电池寿命也会大大缩短 。
而当前5G手机由于内部需要容纳更多的镜头模组 , 更大尺寸的散热结构等等元器件 , 导致消费者对于手机的重量和厚度有很高的要求 。 而Redmi这次在8.48mm的机身中同时实现5000mAh的大容量和120W的高功率快充 , 难度可想而知 。
Redmi此次的做法是 , 引入了小米自研「澎湃P1」充电芯片 。 澎湃P1作为业界首个谐振充电芯片 , 拥有自适应开关频率的4:1超高效率架构 , 谐振拓扑效率高达97.5% , 非谐振拓扑效率为96.8% , 热损耗直线下降 30%。 同时 , 澎湃P1也是小米充电效率最高的4:1充电芯片 , 可做到0.83W/mm超高功率密度 , LDMOS也达到业界领先超低1.18mΩmm RSP 。

这就使得 , Redmi K50 系列新机能够在单电芯方案的基础上 , 通过更先进的 4:1 电荷泵技术 , 实现最高120W的充电功率 。 这在当前的智能手机中 , 是非常强大的配置 。
Redmi K50 系列甚至喊出了要挑战“2K旗舰最强续航”的口号 。

与此同时 , Redmi K50 系列新机这次还搭载了天玑9000处理器 。 众所周知 , 该处理器在功耗和发热表现上相较于友商的平台 , 都有着一定的优势 。 大电池 , 加上分钟级的快充 , 在加上功耗表现出色的芯片 , 最后再加上Redmi在系统底层方面的调校和优化 , Redmi K50 系列新机这次在续航表现上很值得期待 。