苹果M1|苹果M1 Ultra为何能实现性能翻倍？背后真相揭开( 二 ) M1|Pro|M1|Ultra|苹果M1|Ultra为何能

第二项就是互连功耗控制，UltraFusion使用可关闭的缓冲器(Buffuer)，进行互连缓冲器的功耗控制，有效降低暂停的互连线的能耗。
第三项是优化高纵横比的硅通孔(TSV)，TSV是硅中介层技术中另一个非常关键部分。UltraFusion/CoWoS-S5通过使用重新设计的TSV，优化传输特性，以适合高速SerDes传输。
第四项集成在中介层的电容(iCAP)，UltraFusion在中介层集成深沟槽电容器(iCap)，提升芯片的电源完整性。集成在中介层的电容密度超过300nF/mm2，帮助各芯粒和信号互连享有更稳定的供电。
第五项新的热界面材料，UltraFusion通过集成在CoWoS-S5中，使用热导率>20W/K的新型非凝胶型热界面材料(TIM)，拥有100%的覆盖率，提高各个高算力芯粒的散热能力，提升整体散热性能，降低积热。
第六项通过Die-Stitching技术有效提升封装良率降低成本，UltraFusion仅将KGD(Known Good Die)进行键合，避免传统WoW(Wafer on Wafer)或CoW(Chip on Wafer)中失效的芯粒被封装的问题，提升封装后的良率，降低整体的平均成本。

文章图片

编辑点评：苹果的UltraFusion技术充分结合封装互连技术、半导体制造和电路设计技术，为整合面积更大、性能更高的算力芯片提供巨大的想象空间。同时，M1 Ultra的成功，会让传统的芯片制造商，感受到更大的压力。
作为未来半导体的发展方向，先进封装技术在最近几年已得到广泛的应用，同时获得大众的认可。特别是越来越多厂商加入到自研芯片的大军，如何提升Chiplet之间的互联、再到与HBM或DDR内存之间的带宽，也是延续摩尔定律的焦点。

文章图片