【芯观点】5G射频芯片，“卡脖子”的绞索正被斩断芯观点──聚焦国内外产业大

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芯观点──聚焦国内外产业大事件，汇聚中外名人专家观点，剖析行业发展动态，带你读懂未来趋势！
集微网消息，日前，上市公司富满微在投资者互动平台回复提问时表示，公司5G射频芯片已经开始批量供货，主要客户包括国内主流手机及ODM厂商，其5G射频芯片（含滤波器）完全基于自主开发，具有完整的自主知识产权，该公司特别强调，其滤波器定位中高端，模组内滤波器可以支持到5GNR频段，且公司一直致力于新产品研发，也努力在为国产芯片替代尽职尽责。
消息一出，富满微5个交易日最大涨幅已达到约30% ，在近期大盘走势衬托下，显得异常“惹眼” 。
富满微的强势表现，源于资本市场乃至普通公众对5G射频芯片国产替代的迫切期待。
BAW滤波器“正面突围”
除了富满微之外，本月证监会准予科创板IPO注册的唯捷创芯，同样已切入手机5G射频芯片市场，并已实现向主流手机及ODM厂商批量供货，连同已进入上市辅导阶段的慧智微等企业，国内5G射频芯片在技术、商业与资本市场上的突破，似乎已呼之欲出。
5G射频芯片解下“卡脖子”的绞索，离不开其核心部件-滤波器的突围。
滤波器是5G射频前端的核心部件之一，从价值链上也不难看到这一点，据统计，在目前全球150亿美元左右的射频器件市场中，滤波器就占据81亿美元的体量。
目前，中高端滤波器主要可分为声表面波(SAW)与体波(BAW)两种技术路线， SAW滤波器市场主要由日本村田统治， BAW滤波器市场则由博通、Skyworks、Qorvo、高通等美国企业所垄断，中国企业占比微乎其微。
上述滤波器产业格局，除了欧美企业凭借先发优势构造的专利和商务壁垒等原因，很大程度上还源于滤波器微机电器件在结构设计、工艺参数、衬底/薄膜材料等各个环节的技术壁垒，后来者需要突破宽槽牺牲层材料平坦化、超薄片减薄抛光、高精度/高取向度和高均匀性压电薄膜制备等多种MEMS特殊制造技术，掌握有关压电薄膜膜层结构、厚度及应力、掺杂元素及比例等一系列专有工艺参数，否则难以实现大规模量产，或产品批次一致性难以达标。

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需要强调的是，由于BAW滤波器具有频率高带宽大、插入损耗小、带外衰减大等优点，同时对温度变化不敏感，因而在5G高频频段应用中有明显优势， 5G射频芯片的国产替代， BAW滤波器也顺理成章成为突围“主战场” 。
武汉敏声，这家据称已得到H打头电子巨头1300万研发经费资助的MEMS企业，是这场突围的典型样本：
在工艺技术上， 2021年8月，武汉敏声全球最大MEMS代工厂Silex母公司-北京赛微电子股份有限公司达成合作协议，在后者北京Fab3工厂共同投入工艺装备，分工合作，建立国内领先的8英寸射频滤波器生产线，并预计到2022年底，北京产线将实现通线并达到约2000片/月产能。
在器件设计上，根据机构调研所获得的信息，敏声已掌握一百多件技术专利，可绕过博通专利壁垒，在5G频段BAW的主流构型-FBAR上， “技术与AVAGO（博通）相当” 。
在材料创新上，武汉敏声近日宣布，已在国内率先打通高钪掺杂氮化铝全流程工艺，堪称突破了BAW滤波器最大难点。

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高频BAW滤波器依赖的核心材料，是掺杂稀土元素钪的氮化铝薄膜，即铝钪氮（AlScN）材料，但低钪掺杂相关技术被美国企业所垄断，加之其可被应用于高性能军用滤波器，因此美国对该材料出口实施了长达十多年的封锁，国内发展十分滞后，某种程度上可以说，氮化铝材料体系，是美国能够在高端5G射频芯片上“卡脖子”的最关键一环。