台积电|三星3nm晶圆代工厂在6月份动工，略胜于台积电的3nm FinFET技术？三星

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作为知名的跨国集团，三星的实力不是一般的雄厚，之前就有消息说三星电子代工部门已经研发出了 3nm 制程工艺的芯片，再到后面传出三星涉嫌 5nm、4nm 造假，导致连高通这样的大客户也从其手中溜走，从而往台积电那边的跑，这样损失虽不说伤筋动骨，但是也算是一大损失了。
虽然说失去了高通这种大客户，但是作为和台积电齐名的晶圆代工厂，三星对于 3nm 节点上会比台积电更激进，还想要全球首次推出 GAA 晶体管工艺的美称。近日，据媒体报道，三星已经准备在韩国平泽市的 P3 工厂开工建设 3nm 晶圆厂，没有意外的话，预计会在 6 月份前准备动工，到时候就可以导入设备进行调试了。

据三星官方表示， GAA 晶体管是一种新型的环绕栅极晶体管，通过使用纳米设备制造出 MBCFET ，该项技术可以增强晶体管的性能，主要是想取代 FinFET 晶体管技术。说到这个 FinFET 晶体管技术，目前台积电的3nm 节点依然使用着该项技术。

三星官方还表示，和 7nm 的制造工艺比起来， 3nm GAA 技术在编辑面积上提升了 45% 左右，功耗相对的减低了 50% ，性能上提高了 35% ，从参数上来看，三星的 GAA 晶体管技术要比台积电的 3nm FinFET 工艺要强上不少，当然，这些都是属于片面的，具体的还是要等正式发布之后才能知道。

【台积电|三星3nm晶圆代工厂在6月份动工，略胜于台积电的3nm FinFET技术？】值得一提的是，三星已经把精力放在 3nm 节点上的 GAA 晶体管上， 7nm、5nm的性能比不上台积电，但是三星在 3nm 的 GAA 晶体管技术有了一个较大的提高，不知道到时候和台积电 3nm FinFET 技术相比谁强谁弱。