soa|MOSFET失效的6大原因分析，建议收藏( 二 ) soa

四、谐振失效
在并联功率MOSFET时未插入栅极电阻而直接连接时发生的栅极寄生振荡。高速反复接通、断开漏极-源极电压时，在由栅极-漏极电容Cgd（Crss）和栅极引脚电感Lg形成的谐振电路上发生此寄生振荡。当谐振条件（ωL=1/ωC）成立时，在栅极-源极间外加远远大于驱动电压Vgs（in）的振动电压，由于超出栅极-源极间额定电压导致栅极破坏，或者接通、断开漏极-源极间电压时的振动电压通过栅极-漏极电容Cgd和Vgs波形重叠导致正向反馈，因此可能会由于误动作引起振荡破坏。
谐振失效预防措施：
电阻可以抑制振荡，是因为阻尼的作用。但栅极串接一个小电阻，并非解决振荡阻尼问题。主要还是驱动电路阻抗匹配的原因，和调节功率管开关时间的原因。
五、静电失效
静电的基本物理特征为：有吸引或排斥的力量；有电场存在，与大地有电位差；会产生放电电流。这三种情形会对电子元件造成以下影响：
1、元件吸附灰尘，改变线路间的阻抗，影响元件的功能和寿命；
2、因电场或电流破坏元件绝缘层和导体，使元件不能工作（完全破坏）；
3、因瞬间的电场软击穿或电流产生过热，使元件受伤，虽然仍能工作，但是寿命受损。
静电失效的预防措施：
MOS电路输入端的保护二极管，其导通时电流容限一般为1mA在可能出现过大瞬态输入电流（超过10mA）时，应串接输入保护电阻。由于初期设计时没有加入保护电阻，所以这也是MOS管可能击穿的原因，而通过更换一个内部有保护电阻的MOS管应可防止此种失效的发生。还有由于保护电路吸收的瞬间能量有限，太大的瞬间信号和过高的静电电压将使保护电路失去作用。所以焊接时电烙铁必须可靠接地，以防漏电击穿器件输入端，一般使用时，可断电后利用电烙铁的余热进行焊接，并先焊其接地管脚。
六、栅极电压失效
栅极的异常高压来源主要有以下3种原因：
1、在生产、运输、装配过程中的静电。
2、由器件及电路寄生参数在电源系统工作时产生的高压谐振。
3、在高压冲击时，高电压通过Ggd传输到栅极（在雷击测试时，这种原因导致的失效较为常见）。
至于PCB污染等级、电气间隙及其它高压击穿IC后进入栅极等现象就不做过多解释。
栅极电压失效的预防措施：
【soa|MOSFET失效的6大原因分析，建议收藏】栅源间的过电压保护，即如果栅源间的阻抗过高，则漏源间电压的突变会通过极间电容耦合到栅极而产生相当高的UGS电压过冲，这一电压会引起栅极氧化层永久性损坏，如果是正方向的UGS瞬态电压还会导致器件的误导通。为此要适当降低栅极驱动电路的阻抗，在栅源之间并接阻尼电阻或并接稳压值约20V的稳压管。特别要注意防止栅极开路工作。
其次是漏极间的过电压防护。如果电路中有电感性负载，则当器件关断时，漏极电流的突变（di/dt）会产生比电源电压高的多的漏极电压过冲，导致器件损坏。应采取稳压管箝位， RC箝位或RC抑制电路等保护措施。
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