什么叫做磁阻效应,m-r效应什么意思？ _生活知识

由于有较大的输出功率，故配用电路较简单，零位及性能稳定。

在霍尔效应速度传感器中，当测速的靶转到霍尔效应传感器的位置，即霍尔传感器位于靶及磁铁之间，霍尔效应传感器检测到靶感应的磁通量变化。不象可变磁阻传感器（VR），霍尔效应传感器感测的是磁通量的大小，而VR感测的是磁通量的变化率。
【什么叫做磁阻效应,m-r效应什么意思？】

磁阻效应沿电流方向的电阻变化。简单说就是磁阻式传感器类似霍尔元件，但是和常规霍尔的有很大的不同，常规霍尔传感器一般和磁场的感应面是垂直或者相对，而磁阻式传感器则要求与磁场平行。

文章插图
m-r效应什么意思？
即磁阻效应（Magnetoresistance Effects），是指某些金属或半导体的电阻值随外加磁场变化而变化的现象。
同霍尔效应一样，磁阻效应也是由于载流子在磁场中受到洛伦兹力而产生的。
在达到稳态时，某—速度的载流子所受到的电场力与洛伦兹力相等，载流子在两端聚集产生霍尔电场，比该速度慢的载流子将向电场力方向偏转，比该速度快的载流子则向洛伦兹力方向偏转。
这种偏转导致载流子的漂移路径增加。或者说，沿外加电场方向运动的载流子数减少，从而使电阻增加。这种现象称为磁阻效应。