闪存|英睿达P5 Plus 1T评测：原厂176层3D闪存点燃性能之火( 三 ) 芯片|固态硬盘|评测|数码

本次测评所采用的测试平台， CPU为AMDRyzen95900X、内存为DDR4-36008G*2套装、主板为ROGC8E ，系统盘则是采用了三星9801TB ，这套配置是我们评测室里测试固态硬盘使用最比的测试机之一。另外测试盘为英睿达P5Plus1T ，直接安装到主板的M.2_1插槽中，利用C8E自带的大型金属散热马甲进行散热，保证固态硬盘运行在最佳的状态下。
测试前我们先来看看CrystalDiskInfo查看硬盘的信息，可看到英睿达P5Plus1T的固件版本为最新的P7CR403 ，实际传输模式为PCIe4.0x4 ，支持NVMe1.4标准， S.M.A.R.T、TRIM以及VolatileWriteCache功能，待机温度为42度。由于是新寄到的产品，所以可看到主机的总读取和总写入量都是为0GB ，通电时间也是0小时。
CrystalDiskMark性能测试
空盘测试， 1GB文件大小进行测试
空盘测试， 1GB文件大小进行测试
按照英睿达官方给出的性能指标，英睿达P5Plus1T固态硬盘的顺序读取速度为6600MB/s ，顺序写入速度为5000MB/s；而根据我们利用CrystalDiskMark软件实测得知，英睿达P5Plus1T实测顺序读取速度为6800MB/s ，实测顺充写入速度为5100MB/s ，看来英睿达官方此款固态硬盘的标称速度还是较为保守了，实际上的必能表现明显更高。从这样的性能表现来看，英睿达P5Plus绝对称得上GEN4旗舰固态硬盘的一线水平。
TxBENCH基准性能测试
空盘测试
TxBENCH基准测试所得到的结果也和其他同类型测试结果相差不大，只是数据波动会更明显，如空盘状态下的读写速度分别为6429.669MB/s和4891.776MB/s
ASSSD基准性能测试
1GB数据包测试：
10GB数据包测试
在ASSSD基准性能测试中， 1GB与10GB两个数据等级的测试中所得成绩都相当接近，顺序的读写速度1GB分别为5507.98MB/s和4371.92MB/s；10GB分别为5546.95MB/s和458069MB/s ，都是体现出相当高效的读写性能，而4K多线程的测试里面，两个数据测试的读/写IOPS分别是571718/673191和568621/679193 ，相差数值也在合理范围内，体现出美光176层NAND3D闪存芯片的高性能表现。
ezIOmeter测试
而在ezIOmeter测试中，英睿达P5Plus1T的数据读写速度分别为6309.48和4816.42 ，其中极速状态下，读写的速度分别能达到12624.49和9593.84 。参照数据来看，性能可谓是相当的惊人。
TxBENCHSLC测试
TxBENCHSLC测试为全盘测试，其性能曲线以及温度曲线上的表现非常稳定，特别是性能曲线部分可以实现长时间小波动相对稳定的性能支撑，也体现出英睿达P5Plus固态硬盘具备不错的综合性能。硬盘在写入全满负载的情况下，稳定最高稳定在58度，比一般的旗舰级固态硬盘满载温度都要低一些。
小结：通过理论性能测试，我们可看到英睿达P5Plus性能是相当的优秀，无论是顺序读取和写入速度都远高于官方标称值，进一步印证了英睿达P5Plus固态硬盘主控和闪存颗粒的优异表现。同时英睿达P5Plus满载温度也是下较低的，这得益于主控优秀的温度控制，在GEN4旗舰级固态硬盘中也是较为少见的，这样无论是用在台式机、笔记本，还是在PS5上，其都可以实现长时间高传输速度的性能保证。
游戏性能测试测试
3DMark存储测试
游戏性能测试，我们直接选用了3DMARK内建的测试程序，是能测试出不同游戏在此款固态硬盘上的加载速度和平均存取时间；同时还具备游戏录制、安装、保存和移动游戏时不同游戏状态的速度，这样的测试程序可以很好的模拟出游戏用户在真实使用中的情况。最终，英睿达P5Plus1T得分为3289 ，同时在模拟各种游戏加载、安装、录制、保存以及移动游戏中，其平均带宽可达567.44MB/s ，平均存取时间为55μs ，可以非常轻松地满足现在各类游戏在运行时的读写，并且在读写过程中所产生的延时也在合理范围以内。