自主研发！国内首条28/22nm RRAM生产线建成，国产“芯”崛起是对现有半导体市场的最好形

是对现有半导体市场的最好形容。一方面，智能信息技术的发展，人们对手机、PC端等设备性能需求的不断提高，促使芯片厂商加速对硅基半导体芯片的研发。另一方面，大型工业设备及零售商小型设备、智能汽车、智能家居因对数据运算和信息处理能力的需求较低，搭载其中的处理器芯片的性能研发进展相对较慢。由此便产生了半导体芯片市场的两极分化。

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之所以提起这个，是因为近期国产半导体成功建成2022年2月18日消息。 2022年2月16日，报道：由国产厂商主导建设的具备和的28/22纳米ReRAM12寸中试生产线顺利建成。
其中用于该芯片生产线的自主研发设备均完成了装机验收工作，并完成了中试线工艺流程的通线和流片试生产。 ReRAM12寸中试生产线的顺利建成，将推动国产半导体芯片供给链的完善，提高国内芯片供给链的稳定性，推动国产半导体的多元化、平稳化、长远化发展。

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【自主研发！国内首条28/22nm RRAM生产线建成，国产“芯”崛起】ReRAM是什么？答：ReRAM又称非易失性阻变式存储器，简单来说就是一个存储处理器。目前PC端市场广泛流通的是NAND闪存和DRAM内存，事实上，除了这两类存储芯片，本文提到的ReRAM也是存储芯片。只不过因为生产难度大，被许多厂商放弃。据了解， ReRAM的写入寿命可达100万次。
那么， ReRAM生产线的建成，给国产半导体厂商带来的具体改变是什么呢？最明显的是。在现有的存储芯片市场中，传统存储芯片工厂因产能紧缺、资源有限，导致迭代速度慢，从而阻碍了工艺的研发进展。而实验室与实际成果的转变，是困扰我们发展半导体行业的一大问题。

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论逻辑芯片设计、研发能力，我们并不比任何国家差。但在实际成果的转变过程中，却总是面临着设计技术与设备基础不对等的问题。拿本文提到的阻变存储器举例，虽说国内各大科研院能够在实验室中完成对阻变存储器的更新换代，进而在逻辑芯片研发能力上领先国外。但没有标准的12英寸阻变存储器量产产线，如何有效地推动实验成果向实际量产、应用的转变成为一个现实又不可规避的问题。
昕原半导体基于自研技术打造的28/22纳米ReRAM12寸中试线，则很好的解决了困扰我们ReRAM由理论向实践效果转化的量产、投用问题。更何况昕原半导体建成的28/22纳米ReRAM12寸中试线具备先进的独立研发能力和生产能力。汲取了代工厂和实验室的长处，有利于推动ReRAM相关产品的快速变现，进而提高国产ReRAM存储器在市场中的竞争力，形成我们的品牌优势。

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对比DRAM、NAND存储芯片， ReRAM有何优势呢？答：使用寿命更长，稳定性更高，性能也是与DRAM、NAND不相上下。昕原半导体负责人表示，由于ReRAM存储器的生产难度较大，因此赛道相对宽广。国内与国外之间的技术差距也比较小，技术壁垒也尚未形成。公司有信息在ReRAM领域中实现对国外ReRAM技术的赶超。
对于昕原半导体完成这件事情，大伙有什么想表达的呢？综合昕原半导体ReRAM存储器生产线建成后，对国产半导体行业的推动作用，你有什么感想呢？赶快在下方留言、评论吧。