三星|3nm芯片真来了,三星称即将量产,采用GAA技术领先台积电

三星|3nm芯片真来了,三星称即将量产,采用GAA技术领先台积电

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三星|3nm芯片真来了,三星称即将量产,采用GAA技术领先台积电

虽然在2021年时 , 大家就都知道2022年会是3nm芯片的量产之时 , 因三星、台积电都有过表示 , 但具体是什么时候 , 大家都没有细说 。
【三星|3nm芯片真来了,三星称即将量产,采用GAA技术领先台积电】而近日 , 终于传出了确切消息 , 那就是三星代工市场战略团队负责人Moonsoo Kang正式对外表示 , 2022上半年三星第一代的3nm GAA (3GAAE)制程技术将量产 , 最迟不会超过二季度 , 而下半年将开始商业化生产 。

此外 , Moonsoo Kang还表示 , 三星的3nm芯片 , 会按照之前的计划 , 采用GAAFET晶体管技术 , 而不是继续使用从14nm就开始的FinFET晶体管技术 。
而基于GAA技术 , 三星还将开发出第二代GAA技术 , 称之为3GAAP(3nm Gate-All-Around Plus) , 预计于明年 , 也就是2023年量产 。

估计听到这个消息后 , 台积电还是有点慌的 , 并不是因为三星要量产3nm芯片了 , 而主要是因为三星使用了GAA晶体管技术 , 确实比台积电在3nm时使用的FinFET晶体管更先进 。
GAA晶体管能够提供比FinFET 技术更好的静电特性 , 能够让芯片进一步微缩 , 也就是晶体管密度更大 , 另外还能降低栅极电压 , 让功耗降低 。
所以如果三星的GAA技术的3nm芯片进展迅速 , 良率比较高的话 , 对于台积电而言 , 确实是一个非常大的压力 , 说不定能够从台积电这抢到更多的客户 。

而按照三星的说法 , 3nmGAA芯片 , 较上一代的5nm的FinFET技术 , 面积能够缩小35% , 性能提高30% , 或功耗提高50% 。
接下来就让我静态三星新一代的3nm芯片何时量产了 , 我想台积电也是在拭目以待 , 看看三星能不能借3nm工艺 , 威胁到自己的地位 , 毕竟三星一直想要打败台积电 , 成全球代工厂商中的冠军的 。
当然 , 台积电和三星在3nm竞争 , 于我们而言 , 只是神仙打架 , 毕竟中芯才14nm , 离3nm还好几代 , 再加上10nm以下的设备受限 , 可以说离3nm还遥不可及 。