继上海微电子后，又一中企光刻机投入市场光刻机是芯片制造过程中最重

光刻机是芯片制造过程中最重要的设备，也是我们芯片制造设备中最大的短板，所以关于光刻机的消息就备受关注。近日，美方想要扩大光刻机出货限制更让人揪心。
就在这个关键时刻，中企对外宣布首台上海微电子光刻机已顺利搬入。紧接着，又一中企表示接近式光刻机已投入市场。这究竟是什么情况，光刻机又处于哪个层次？

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国产光刻机的状况
近日，中企昆山同兴达举办了首台SMEE光刻机搬入仪式，购买了2台上海微电子光刻机，这2台属于封测光刻机。随后，国内激光巨头大族激光也传出光刻机消息。
大族激光近日表示，接近式光刻机已投入市场，步进式光刻机已启动用户优化。对于光刻机明确表示，研发的光刻机项目主要应用在分立器件领域，分辨率为3-5μm 。
那么，这两家推出的国产光刻机，究竟处于什么水平呢？下面，我们来简单分析下。

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首先从计量单位来看。 μm是微米，我们常见提到的先进制程单位是纳米nm 。按单位换算的话， 1毫米等于1000微米， 1微米等于1000纳米，微米是纳米的1000倍。
由此可见，分辨率3-5μm的接近式光刻机，精度非常低，实现的技术难度也不太大。
要知道， ASML的EUV能生产7-3nm制程芯片， DUV中的ArFi浸没式光刻机可以生产45-7nm制程芯片。相比之下，接近式光刻机差距非常大，属于光刻机的初级阶段。

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其次从光刻机分类来看。光刻机按照用途可分为三类：第一类是用于芯片制造的前道光刻机，第二类是用于封测的后道光刻机，第三类是用于LED制造的投影光刻机。
昆山同兴达搬入的上海微电子光刻机属于第二类，大族激光推出的接近式光刻机属于第三类。第二类和第三类光刻机难度较小，上海微电子这两类的市占率均是第一。
尤其是封测光刻机，国内市场份额占到了80% ，在全球市场也占到了40%的份额。

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再者从光刻机发展历程来看。第一、二代均为接触接近式光刻机，光源分别为436nm的g-Line和365nm的i-Line 。第三代是扫描投影式光刻机，光源为248nm的KrF 。
第四代是步进式扫描投影光刻机，先是采用193nm的ArF ，后发展出浸没式，光刻机缩短为134nm的ArFi 。第五代光刻机就是EUV了，采用了波长13.5nm极紫外光。
上海微电子的芯片制造光刻机已经做出90nm ，如今正在攻坚28nm浸没式光刻机。

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大族激光不断崛起
接着，再说说大族激光为什么能造光刻机。虽然大族激光所造的光刻机水平较低，但有勇气研发光刻机，并且取得了一定进展，还在继续地前进，这就非常值得鼓励。
只有参与研发的光刻机企业越来越多，中国光刻机的整体水平才会发展得越来越高！
大族激光作为激光加工行业的全领域龙头，主要业务是激光加工设备的研发、生产与销售，后来又自研光刻机。不过，光刻机还集中在低端领域，仅实现小批量销售。

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尽管目前的光刻机还在初级阶段，但大族激光可不简单，在全球激光设备领域都很知名，是国内第一、亚洲最大的激光设备龙头，营收规模稳居国内第一、全球第三。