中国首台光刻机交付,2022,国产芯片还能更差吗?( 三 )


根据SEMI数据 , 5nm制程芯片所需使用的刻蚀次数高达160次 , 较14nm提升150% , 直接增加了刻蚀工艺的资本支出 , 刻蚀设备在晶圆厂产线中的价值占比正在不断提升 。
中国首台光刻机交付,2022,国产芯片还能更差吗?
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根据Gartner数据显示 , 2015年至2017年 , 等离子刻蚀设备市场规模复合增速为17% , 超过其他前道设备市场增速 。 目前 , 存储器件正从2D向3D结构转变 , 逻辑器件向3nm等技术节点发展 , 这些工艺的变化使得等离子体刻蚀设备成为更关键的设备 , 其市场增速超过光刻机和其他前道设备 。
3DNAND层数的增加要求刻蚀技术实现更高的深宽比 。 集成电路2D存储器件的线宽已接近物理极限 , NAND闪存已进入3D时代 。 3DNAND制造工艺中 , 增加集成度的主要方法不再是缩小单层上线宽而是增加堆叠的层数 。
刻蚀要在氧化硅和氮化硅一对的叠层结构上 , 加工40:1到60:1的极深孔或极深的沟槽 。 根据东京电子的统计 , 3DNAND中刻蚀设备的支出占比达到50% , 远高于此前工艺NAND的15% 。
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