总结
综上所述 ， 浸入硝酸和HF混合物中的厚度和重量的蚀刻率随着蚀刻时间和硝酸蚀刻浓度的增加而增加 。 在较高的蚀刻时间和硝酸浓度下蚀刻时 ， 观察到光滑均匀的硅结构 。 XRD结果表明 ， 蚀刻硅片的强度高于纯1个硅片并且随着蚀刻时间的增加而增加 。 与其他材料相比 ， 用26%硝酸和48%HF的混合物蚀刻的硅片具有最佳的蚀刻率 。 目前的蚀刻研究表明 ， 蚀刻硅可以潜在安装到更薄的包装用于微电子产品的制造 。
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