1月21日消息,外媒oregonlive报道称,英特尔本周五将会宣布在俄亥俄州哥伦布地区建设半导体新工厂的相关事宜。去年,英特尔投资200亿美元在美国亚利桑那州建设了两座圆晶厂,这次准备再投200亿美元建厂,争取重新回到全球半导体工艺领先地位。
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据了解,去年英特尔老将帕特·基辛格担任CEO后,就立即推出了IDM 2.0战略,重新规划了英特尔半导体技术的发展路线,将制程工艺划分为Intel 7、Intel 4、Intel 3和Intel 20A。其中Intel 20A会引入全新GAA技术,宣告半导体进入埃米时代。
基辛格同时还斥巨资兴建半导体工厂,希望重整英特尔的半导体制造项目。它率先投资200亿美元建设了Fab 52、Fab62圆晶厂,用以提高晶圆的产能。俄亥俄州的半导体工厂尚未公布具体细节,等它全部建成并投入使用,应该要2~3年的时间,推测这应该会负责生产Intel 20A/18A工艺芯片,也就是埃米级工艺,据说比台积电2nm还要先进。
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近日,英特尔在半导体制造方面的动作也非常频繁。先是花费19亿美元订购了ASML最先进的EUV光刻机,可用于生产2nm或Intel 18A工艺,推动先进制程工艺的发展步伐。同时,英特尔位于爱尔兰莱克斯利普的Fab 34圆晶厂也进入重要部署阶段,第一台巨型芯片制造工具——光刻显影设备进厂。该工厂计划为2023年投产,生产Intel 4工艺芯片。
如今,先进半导体工艺几乎被台积电垄断,尽管三星、英特尔的半导体收入占据全球前两名,但技术确实落后台积电太多。今年,台积电3nm即将量产,而三星4nm表现仍旧不尽人意,英特尔更是在继续打磨10nm工艺。
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去年全球芯片短缺问题,让半导体企业都意识到先进制程工艺和产能的重要性,纷纷加大投资以发展半导体产业。未来,随着智能汽车、5G、AR/VR等技术的快速发展,对先进制程芯片的需求必定更为强烈,英特尔选择在此时发力也算为时不晚。
【 台积电|死磕台积电!英特尔再投200亿建半导体工厂:抢先布局埃米工艺】期待英特尔先进工艺能如预期一般顺利推进,届时真的可能追赶上台积电的步伐。如果三星3nm真的能实现弯道超车,未来可能会形成三分天下的局面。
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