芯片|中国芯片加速新芯片技术，彻底绕开EUV光刻机，ASML或后悔不迭光刻机|阿斯麦尔|it芯片|重器

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【芯片|中国芯片加速新芯片技术，彻底绕开EUV光刻机，ASML或后悔不迭】

ASML被限制对中国出售EUV光刻机，成为中国芯片产业发展的心头之痛，不过随着中国加速新芯片技术的发展，这很快将成为过去，日前的消息指中国和德国合作研发的光量子芯片技术取得了重大突破，为它的商业化打下了基础。

中国在光量子芯片技术方面走在世界前列，日前中国研发光量子芯片取得领先优势的研发团队--中国科学技术大学郭光灿院士团队与德国马克斯普朗克光科学研究所MarioKrenn教授合作对光量子芯片技术进一步研发，于近期取得了三个全球首次技术突破。
一是基于硅基光子集成芯片实现了四光子源的制备；二是实现频率兼并四光子纠缠源制备；三是实现波导模式编码的量子逻辑门操作和超紧凑量子逻辑门操作。这些均是光量子芯片技术的首次，为量子芯片的实现奠定了基础。
事实上国内已开始筹建相关的生产线，北京一家企业将在今年推进光子芯片生产线，合肥本源则在推进量子芯片生产线，这都是全球首条计划投入量产的先进芯片生产线，凸显出中国在先进芯片技术方面的快速进展。
光量子芯片的性能比当前的硅基芯片技术提升1000倍，而功耗却只有后者的千分之一，其卓越的表现吸引着全球芯片行业推进研发，而中国的研发团队通过与德国的相关行业领先者合作，进一步加快了这项技术的商业化。

研发新芯片技术已成为当下全球芯片行业的前瞻性技术，因为当前的硅基芯片已逐渐接近它的极限，业界预期1纳米将是硅基芯片的极限，而台积电预计到2024年将量产2纳米，硅基芯片技术即将到达它的尽头。
影响硅基芯片进一步发展的还有成本问题，台积电的3纳米工艺由于成本太高，至今仅有苹果计划采用，然而这仅仅是计划，此前曾传言苹果会采用3纳米工艺生产A16处理器、M2 Pro处理器，但是最终都采用5纳米工艺，原因就是3纳米工艺成本太高了，这都促使芯片行业加快新芯片技术的发展。
中国研发新芯片技术则是希望打破当前由美国主导的硅基芯片技术体系，美国掌握着硅基芯片材料和EDA工具，硅基芯片的核心生产设备--光刻机则采用了很多美国技术，为此全球最大的光刻机企业ASML也不得不听从美国的要求， ASML至今未能对中国出售EUV光刻机，这成为中国芯片技术发展的重大障碍。
如此情况下中国通过研发光量子芯片可以绕开EUV光刻机的限制，开辟自己的新道路，而光量子芯片推进量产无疑代表着中国在先进芯片技术方面已逐渐接近量产，曙光已现。其实美国也已在推进新芯片技术，美国晶圆厂SkyWater通过在芯片中加入碳纳米管可以生产出90纳米的芯片，性能却比7纳米硅基芯片高出50倍。

随着全球在先进芯片技术方面的进展， ASML掌控的光刻机体系也将被抛弃，到那时候ASML将哭都没地方哭去， ASML的主营业务就是光刻机，如果光刻机没有了需求， ASML将回到2005年之前那种连生存都困难的窘境。