半导体|新型国产光刻机验收：绕开ASML光刻机，闯出的一条新路( 二 ) 芯片|独角兽|GPU|it芯片

值得一提的是原成像芯片的研究，它是研发了一种超级传感器，纪录成像过程而非图像本身，从底层传感器端对复杂广场的维超精细感知与融合，提供了可扩展的分布式解决方案，是一种三维光学成像。
而如今的超分辨光刻机技术，又是一种新的光刻技术，这意味着国内各种新的技术路线探索，呈现出百花齐放的态势。
众所周知，传统光刻机的技术难度非常大。光刻机的激光，镜头，双工台，都是精密仪器的顶尖水平，一台顶级的EUV光刻机需要顶级的光源系统、物镜系统、双工件台、控制系统四大件的支持。

ASML光源采用美国的Cymer ，透镜是德国的蔡司，复合材料是来自日本等等。除此之外， EUV光刻机整合了10万个大大小小的零部件，全球只有ASML能生产。 ASML公司的EUV光刻机，但受限于美国的出口制裁，无法将EUV光刻机自由出货。
从美国12月与荷兰拟议中的对华半导体出口管制谈判结果来看，在具体的执行层面，即是禁止ASML向中国出售DUV浸润式光刻机，其先进程度比EUV光刻机落后一代，是制造7nm以上制程芯片的必备硬件。
也就是说，从这次谈判来看，美国的管制范围扩大了，从DUV光刻机到EUV光刻机，都在其出口限制禁令之内。中国的光刻机自主研发或成唯一出路。
国内在传统光刻机路径，产业链在进一步发展，从光刻胶再到光掩模版，光刻机缺陷检测设备，涂胶显影设备等，也都有相关的公司与产业分布。
今年前11个月，中国减少了840亿颗芯片进口，侧面也反应了中国的芯片自给能力越来越强，尤其是在14nm与28nm市场的成熟工艺芯片层面的突破。

当前国产DUV光刻机进展还处于保密阶段，包括此前国内某大厂的光刻机专利曝光，其中涉及到一些保密的敏感内容，目前暂时并未对外界高调宣传，但是国产光刻机很多关键的部分都已经取得了技术突破这是没有疑问的。
国内企业和各科研单位对光刻机、EDA软件、光刻机胶等设备和材料进行了攻克，不过，由于光刻机涉及的领域庞大，部分国产零件不能及时补位，国内芯片市场需求又非常庞大，国内传统光刻机的研发进展还需要更多时间，与ASML的差距还非常大，这点需要客观看待。
因此，对于国内来说，必须要做好两手准备，一方面是在传统光刻机技术路径上不断突破，方面是在绕过光刻机技术层面不断推进。从目前来看，国内的两条路径，都在稳步推进之中。
绕开传统光刻机，又上升一个台阶
光刻机领域被卡脖子的问题，一直是国人非常关注的技术难题，所有人都在期待着国产新型光刻机的出现，将国内的芯片制造技术推向7nm乃至更高的制程，打破芯片被卡脖子的问题。事实上，中科院光电所研发光刻机从20世纪初期就开始了，到今天已有20年的研发时间，到今天，绕开光刻机这条路明显有了更多的曙光。
相对于华为量子芯片、清华大学元成像芯片等处于实验室阶段以及光子芯片的生产线处于筹备阶段，中科院的超分辨光刻机已经进入验收阶段，可以说更进一步了。
只不过，从目前来看，还没到乐观时刻，毕竟，任何一款新推出的科研产品，都有着还需要解决和优化的难题，这款超分辨率光刻机的短板还很明显，由于它聚焦的面积非常小，属于接触式光刻，易产生缺陷，此外，直写式光刻当前还不能实现规模化量产，当前和国际上先进的光刻机设备对比，在效率的差距还很明显。