但“QctaPD”绝非大尺寸CMOS上最好的对焦设计 , 实际上由于它的对焦像素因为只有左右分割 , 所以无法进行垂直以及斜向的持续追焦 。 相比之下 , 索尼曾在IMX689上提出过的“2*2 OCL(全像素全向对焦)”结构 , 反而才是能够更好兼顾全向对焦和大像素感光的设计 。
有趣的是 , 三星HP2的对焦结构采用的正是类似“2*2 OCL”的“Super QPD”设计 。 它让每四颗像素共用一个微透镜 , 从而实现了上下、左右、斜向等多个方向的相位比对能力 。 同时由于所有的2亿像素全都采用了这一架构 , 所以它可以做到全取景范围的持续追焦 。 这就使得HP2在对焦、追焦性能上 , 超过了很多底更大、像素面积更大的CMOS , 在日常使用中反而有着潜在的清晰度优势 。
最后 , 它还解决了“高像素”的固有缺陷
对于手机CMOS传感器来说 , “大底高像素”自诞生以来其实就一直伴随着许多并不太令人愉快的代价 。
比如说更大的底不得不搭配更大更厚的镜头组 , 从而会显著增厚机身 , 还会降低光学防抖的效果 。
又比如说 , 前文中我们已经提及 , 早期的大底CMOS很多在对焦设计上都严重退步 , 导致实际拍摄中对不上焦、或者完全没法用于拍摄近距离对象 , 因此实用价值大打折扣 。
在日常的评测、使用过程中 , 我们其实经常遇到这种强光下的过曝样张
但除此之外 , “大底高像素”CMOS还有一个普遍缺陷 , 那就是它们比较容易过曝 , 而且记录色彩时的动态范围不佳 。
为什么会这样?这是因为CMOS传感器的“基本原理” , 其实有点类似于太阳能电池 , 在光线照射到传感器上时 , 光能会转换为电能 , 而电能(电子)则会被传感器上的每一个像素点所捕获 。 之后再通过检测每个像素点的电压(电子数量) , 就能得知对应色彩的光线强度 , 并最终组合为画面 。
但是问题就在于 , 对于高像素CMOS来说 , 因为它们的像素尺寸变小了 , 所以每个“像素”里实际能够容纳的电子数量比起以前的老款CMOS来说 , 其实是减少了的 。
这样一来 , 一方面“光线强”和“光线弱”时对应的电子数量差(电压差)就变小了 , 最终造成画面的宽容度降低 , 明暗信息量损失变大 。 另一方面 , 一旦像素点被强光直接“充满电” , 就可能会造成过曝 。 这就是为什么许多高像素机型在晴天或者有强光源的夜间拍照时 , 整个画面都可能发白的原因 。
双增益电路对于三星来说并不是新设计 , 只不过这次它实现了同时开启的效果
然而以上这些问题 , 在HP2上就得到了多个层面上的解决 。 一方面它将单像素传感器的阱容增大了超过33% , 这意味着每个像素点都能捕获更多光线信息(而不过曝) 。 另一方面 , HP2具备双斜率增益电路(对暗光区域的像素点和亮光区域的像素点使用不同的信号放大倍率) , 能够在各种大光比场景下实现硬件层面的“暗部提亮”和“高光抑曝” 。 最后 , 双ISO功能则意味着它还可以拍摄出超过硬件本身限制的照片色深(通过在一次拍摄中组合两个不同的感光度 , 生成一帧超高色深的照片) 。
结语:三星当前技术的集大成 , 但重点还不止于此
不难发现 , 在HP2这款2亿像素CMOS身上 , 其实可以看到三星半导体过去多条产品线、多个不同技术探索方向的“融合” 。
比如小型像素设计明显继承自此前JN1、HM2的技术路线 , 但进行了“高端化”的调整 。 比如Super QPD对焦吸取了竞争对手的经验 , 此前已经在HPX上进行了首发验证 。 比如双增益电路设计最早出现在GW1上 , 是已经经过大量检验的可靠技术 。 而双ISO(或者叫Smart ISO Pro)则源自前代的“自用”传感器方案HM3 , 在软件适配上也已经有了成熟的经验 。
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