【 ibm|三星电子欲开发全球首个 3D DRAM,有望 2025 年问世】IT之家 1 月 19 日消息,据 BusinessKorea 报道,三星电子正在加快 3D DRAM 的研究和开发,这家半导体巨头已经开始加强相关团队建设,比如招聘人员。
文章插图
过去,DRAM 是通过将晶体管和电容器排在一个平面上生产的。然而,随着 20 世纪 80 年代末 DRAM 容量超过 4 兆,提高 DRAM 的密度变得困难,使得重新排列电路和电容成为必然。当时,DRAM 行业分为“沟槽组”和“堆栈组”,前者选择将电路和储存器放在平面下,后者选择将它们堆积在平面上。
日本的东芝和 NEC 以及美国的 IBM 更倾向于沟槽法,而三星电子则选择堆叠法。当时,三星电子采用堆叠法是因为这是一种更容易制造 DRAM 和检查生产过程中问题的方法。因此,三星电子可以建立一个半导体帝国,并在大约 30 年的时间里一直保持其在 DRAM 市场上的第一地位。
在堆叠法变得普遍之后,芯片制造商通过缩小单元尺寸或间距来提高 DRAM 的性能。然而,在有限的空间内增加单元的数量,他们遇到了物理限制。另一个问题是,如果电容器变得越来越薄,它们可能会坍塌。3D DRAM 的概念就是在这种背景下提出的,目前的 DRAM 可以被称为 2D DRAM。
据报道,三星电子已经开始开发一种躺着堆叠单元的技术。这是与高带宽内存(HBM)不同的概念,后者是通过将多个模具堆叠在一起产生的。
此外,三星电子还在考虑增加 DRAM 晶体管的栅极(电流门)和通道(电流路径)之间的接触面。这意味着三面接触的 FinFet 技术和四面接触的 Gate-all-around(GAA)技术可以用于 DRAM 生产。当栅极和通道之间的接触面增加时,晶体管可以更精确地控制电流的流动。
IT之家了解到,美光科技和 SK 海力士也在考虑开发 3D DRAM。美光提交了一份与三星电子不同的 3D DRAM 的专利申请。美光公司的方法是在不铺设单元的情况下改变晶体管和电容器的形状。Applied Materials 和 Lam Research 等全球半导体设备制造商也开始开发与 3D DRAM 有关的解决方案。
然而,由于开发新材料的困难和物理限制,3D DRAM 的商业化还需要一些时间。业内人士预测,3D DRAM 将在 2025 年左右问世。
- 三星|iPad Pro劲敌!三星泄露自家新平板:骁龙8处理器、刘海屏
- 三星|Windows 11构建中的新功能有些什么?
- OLED|三星提前终止LCD 新一代屏幕来了!加速转型QD-OLED 仍有问题
- 三星|安卓阵营三大旗舰Soc齐了!一文了解Exynos 2200:GPU脱胎换骨
- 三星|手机旗舰芯片喜加一!三星发布Exynos 2200,GPU是最大亮点
- 智能手机|最贵的骁龙8旗舰!三星S22 Ultra曝光:顶配版或卖万元
- 三星|过年回家最涨面子的四款手机,最后一款非富即贵
- mac pro|三星推出Exynos 2200处理器 业界首款支持硬件级光线追踪加速
- 三星|成了“网红”的三星JN1,真是手机影像的“万金油”吗
- 三星Galaxy|围观!2022年5大最佳三星手机:性能与时尚并存,轻松用上三年