闪存|从Xtacking 1.0到2.0 致态TiPro7000超过7400MB/s性能的秘密 SSD|长江存储|从Xtacking|1.0到2.

近段时间以来，致态TiPro7000的问世，再次引发了全行业关注，作为一家2016年堪堪成立，不到6年，却实现了从SATA到PCIe3.0 ，再到如今消费级固态硬盘巅峰PCIe4.0 SSD ，全领域的产品布局，长江存储·致态背后的Xtacking?为何如此神奇？Xtacking技术究竟又有多少魔力？
根据官方解释， Xtacking?是长江存储核心专利和技术品牌，代表着长江存储在3D NAND存储技术领域的创新进取和卓越贡献，同时它也是长江存储面向企业客户、消费者推广3D NAND产品的关键所在，也是体现长江存储原创设计的代表品牌。

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致态TiPro7000（1TB）
这个解释实质上有两重意思，一方面着重强调了Xtacking是一项核心的闪存制造技术，是长江存储近年来发展壮大的关键专利，另一方面则是揭示了Xtacking已然成为长江存储重要的品牌资产和代名词，有着非同凡响的象征意义。
今天，我们抛开品牌意义不聊，重点聊聊Xtacking?作为闪存制造技术，是如何推动致态TiPro7000的性能炸裂。
01 主流NAND闪存制造逻辑
在理解Xtacking?技术之前，我们需要先聊聊全球其他闪存厂是如何制造闪存的。

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图源于互联网
我们都知道现阶段全球NAND闪存玩家，主要有三星、铠侠/西数、Intel/Micron以及SK海力士等几家，其中铠侠和西数， intel和Micron ，基于资本和市场共享机制，在这里可视为一家。
通过上图全球主流NAND闪存横截面可以看到，制造技术上，三星和铠侠/西数大体上保持一致，都是常规的并列式架构，这样的好处在于加工难度较低，但对于晶圆蚀刻设备与技术要求太高，尤其是三星采用的一次性加工、内存孔（Memory Hole）的HARC蚀刻技术，更是对于设备和操作经验要求极高；
铠侠/西数采用的则是相对轻松的两个48层堆叠而成，在技术难度上更具操作性，但也存在着内存孔的贴合匹配等问题。
Intel/Micron以及SK海力士，则采用了另一条制造路径，即CUA ， CMOS under Array ，顾名思义就是将能够控制数据读取、写入的CMOS线路放置在Array以下的一种加工方式，这样的架构同样存在制造工艺难度较高，优势则在于能够扩大单个芯片的存储密度。

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Xtacking架构下的长存颗粒
至于YMTC即长江存储则是采用了Xtacking架构，该架构原理是将CMOS线路用一种不同于存储单元（Memory Cell）的晶圆制造而成，分别通过Bonding工艺进行贴合，更加朴素的解释便是等同于，在指甲盖大小的面积上通过数十亿根金属通道，将CMOS和Array进行连接，合二为一。
02 Xtacking的先进性
看到这里，大家应该能够脑补Xtacking?架构和传统上下并列， CUA等闪存结构的不同之处，那么耦合而成的Xtacking又有哪些特点呢？