五年前|苹果iphonex开始搭载oled市场( 三 ) 五年前

要取得小尺寸的Micro-LED ，就要使用微缩制程技术，将LED芯片微缩后到满足应用要求的尺寸。微缩制程技术包括芯片焊接、晶圆焊接、薄膜转移三种路径，技术实施得越好，像素密度就会越高。

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微缩制程技术实现的三种路径，制表丨果壳硬科技参考资料丨《Micro-LED技术路线图（2020版）》[6] ，有删改
Micro-LED还有个不得不面对的致命问题：在微缩过程中，时常会产生侧壁缺陷。比如，同样是2μm的误差缺陷，在250μm×250μm尺寸的LED上，剩余可使用率为97% ，但在5μm×5μm的Micro-LED上，剩余可使用率仅为4% 。 [14]

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误差缺陷导致芯片使用率大幅度降低[14]
不仅如此， Micro-LED芯片尺寸越小，电感耦合等离子体（ICP）刻蚀区域（侧壁）与有源区体积的比率就会越大，刻蚀损伤所形成的缺陷占比越高[15] 。导致非辐射复合比例逐渐上升，发光效率和使用寿命下降。如尺寸从400μm减小至20μm ，电流密度光效下降比例可达50%[7] 。这还会导致有源区内肖克利?雷德?霍尔（SRH）非辐射复合几率增加、辐射复合几率和发光效率降低、引入新的漏电通道加重器件反向漏电。这些问题，在尺寸小于10μm的Micro-LED上尤为显著。 [16]
芯片尺寸问题还会让提高驱动器与Micro-LED阵列集成的效率和稳定性成为难题。简言之，量产LED或是Mini-LED的工艺流程，对Micro-LED来说可能不再适用。巨量转移的困境
LED显示器的每个像素点都由点阵组合而成，一个个小LED芯片组成的阵列的间距基本一致。 Micro-LED也是同理。制造出芯片后，也要将大批量的Micro-LED芯片定点巨量地转移到电路基板上，这个过程就是“巨量转移” 。
与传统的LED不同， Micro-LED的巨量转移不仅对转移精度、转移速率、色彩均匀度的控制有更高要求，转移数量也更大， 4K的Micro-LED显示器需完成两千多万颗的Micro-LED芯片倒装，而8K则达到了上亿颗。 [17]
目前巨量转移技术有多种技术方案，包括精准拾取技术、激光释放技术、流体自组装技术及滚轮转印技术等，不同技术拥有不同特性，但都存在一定弊端。

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Micro-LED芯片巨量转移方式[2]
具体来说，精准拾取技术对转移设备精准度及稳定度要求极高；激光释放技术在实施过程中可能会对芯片表面造成损伤，降低良率，此外激光设备价格昂贵；流体组装技术需经历3次才能完成转移，效率较低；滚轮转印技术可在柔性基底上实现转移，但同样需要3次转移才能完成巨量转移。 [17]
部分方法在实验室可达99.99%的良率，但比起至少要达到99.9999%良率的产业化要求，相差距离较大。业界正在探寻一种易实现、良率高又较为便宜的技术方案。 [18]缤纷色彩背后的挑战
为什么显示器能够呈现得如此丰富多彩？因为显示界普遍采用了RGB（红绿蓝）颜色系统，通过RGB三原色叠加合成，能够实现肉眼可见的大部分色彩。想要Micro-LED能够正确描绘出画面，就要做好色彩方案，即全彩化。
Micro-LED彩色化主要有两种解决方案：一种是蓝色源转色方案，但色转换材料存在涂布均匀性和信赖性等问题，应用较少；另一种是直接使用LED的RGB三色方案，但对Micro-LED来说，这种方案并不是拿来就能用，需要对LED大小进行相应调整，此外由于各色波长均一性差异，还会面临光效率和良率不足的问题。 [14]