内存|DDR5和DDR4内存区别在哪?一文了解详情

不少玩家在选购内存时候会看到部分商家会将DDR5和DDR4内存进行比较 , 并且还有各种各样的时序使自己眼花缭乱 , 但多数玩家并不懂这些专业话术 , 所以今天就为你们整理出这些区别在哪里 。
首先DDR5和DDR4内存的区别在于带宽速度 , 单片芯片密度 , 工作频率三个方面 。
一、带宽速度方面:
与DDR4相比 , 改进的DDR5功能将使实际带宽提高36% , 目前DDR4的带宽在25.6GB/s , DDR5的带宽为32GB/s 。
二、工作频率方面:
DDR4的最低的工作频率标准为1600MHz , 最高工作频率为3200MHz(不超频的情况下) , 而DDR5的工作频率最低高达4800MHz以上 , 最高频率达到6400MHz 。
三、单片芯片密度方面:
DDR4目前主要为4GB , 单条内存的最大容量达到128GB , 而DDR5会有单片超过16GB的芯片密度 , 可以达到单条更高容量 。
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而在功耗方面目前DDR4内存的单条功耗为1.2V , DDR5内存的功耗将进一步降低到1.1V 。同时DDR5具有改进的命令总线效率 , 更好的刷新方案以及增加的存储体组以获得额外的性能 。
说完了DDR5和DDR4内存的区别 , 那接下来说一下内存的时序起到什么作用 。内存时序则是一大串数字 , 表述的时候中间用破折号隔开 , 例如16-18-18-38 。
内存时序4个数字对应的参数分别为CL、tRCD、tRP、tRAS , 单位都是时间周期 , 也就是一个没有单位的纯数字 。
CL(CASLatency):列地址访问的延迟时间 , 是时序中最重要的参数 。
tRCD(RASto CAS Delay):内存行地址传输到列地址的延迟时间 。
tRP(RASPrecharge Time):内存行地址选通脉冲预充电时间 。
tRAS(RASActive Time):行地址激活的时间 。
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越低的时序代表颗粒体质越好 , 超频的潜力也就越大 。内存的时序会随着频率的增加而增加 , 内存的延迟可以用这个公式来计算:内存延时=时序(CLx 2000 )/内存频率 。
即使内存的时序会随着频率的增加而增加 , 但最后内存的延时并没有太大的变化 。频率相同时 , 时序越低 , 延迟也就越小 。同样 , 时序相同时 , 频率越高 , 延迟也就越小 。
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