高通当下的高端芯片骁龙888被吐槽发热严重，业界一度怀疑是高通的技术问题所致，不过近日台媒digitimes的分析或许让高通沉冤得雪，发热问题在于三星的芯片制造工艺落后。
目前芯片制造厂台积电和三星主要是根据晶体管的宽度来划分的先进工艺制程，不过早在数年前Intel就曾详细列举台积电和三星的10nm与Intel的14nm工艺做比较，指出它们的10nm工艺不如Intel的10nm。
近日台媒Digitimes对Intel、台积电、三星的工艺进行比较，以晶体管密度（每平方毫米晶体管数量）作为参考指标，从10nm、7nm、5nm、3nm、2nm进行对比，其中Intel的5nm和3nm为预估值，台积电和三星的3nm、2nm工艺为预估值。
根据Digitimes的分析，就晶体管密度而言，台积电和三星的7nm工艺分别只有0.97亿颗、0.95亿颗晶体管，落后于Intel的1.06亿颗晶体管，而且在5nm工艺之后它们与Intel的差距进一步扩大，其中三星落后的幅度更大。
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Digitimes预估台积电的5nm工艺只能达到1.73亿颗晶体管，低于Intel的7nm工艺的1.8亿颗晶体管；三星则更为落后，三星的5nm工艺只能达到1.27亿颗晶体管，预估三星的3nm工艺才能达到1.7亿颗晶体管。即是说台积电的5nm工艺落后于Intel的7nm工艺，而三星的3nm工艺又落后于三星的5nm工艺。
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Digitimes的分析还是有一定道理的，三星的工艺早在14/16nm工艺上就已稍微落后于台积电，当时三星以14nm工艺和台积电以16nm工艺生产苹果的A9处理器，结果被测试机构发现台积电以16nm工艺生产的A9处理器在功耗方面要低于三星的14nm，此后苹果的A系处理器就全数交给台积电代工生产，而三星则独揽高通的高端芯片。
此前三星为高通生产的高端芯片表现不错，不过今年它为高通生产的骁龙888芯片却出现了发热问题，多款采用骁龙888芯片的手机在长时间使用后会出现温度偏高的问题，随后为解决这一问题，一些手机企业不得不降低骁龙888的主频。
随后高通又史无前例的推出了骁龙865的第二款升频芯片骁龙870，这是它首次对一款旧款高端芯片连续提高主频推出骁龙865plus和骁龙870，安兔兔测试显示骁龙888的性能与骁龙870差不多，由于骁龙888采用了更先进的X1核心和5nm工艺，按ARM的预计骁龙888的性能应该能比骁龙865提升三成左右，而骁龙888的实际表现显然让人失望。
如今Digitimes的分析或许能解释骁龙888的发热问题，主要原因应该就是三星的5nm工艺未能达到预期，从而降低X1核心的功耗，导致了这一问题。据悉高通下一款芯片骁龙895将继续采用骁龙888的架构，芯片工艺则升级到三星的3nm工艺，在采用了三星更先进的工艺之后或许骁龙895不会再出现发热问题，而性能应该能达到ARM对X1核心的预期。
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【 晶体管|骁龙888发烧根源找到了，三星和台积电的工艺虚标严重所致】外媒认为台积电和三星对于先进工艺制程的命名如此激进，在于它们之间的竞争颇为激烈，当时14/16nm工艺的命名就让台积电吃了点小亏，此后双方开始在工艺命名上进行比赛，而Intel则坚持按自己的节奏研发先进工艺而在命名上采取保守策略，导致Intel在芯片制造工艺推进上落后于台积电和三星。
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