IBM(IBM.US)联手三星发布“突破性”芯片设计,可减少85%能耗

智通财经APP获悉,最近,IBM(IBM.US)表示,其与三星合作在半导体设计上取得了“突破”,可以减少85%的能源消耗。
据悉,IBM与韩国三星共同发布“垂直传输场效应晶体管”(VTFET) 芯片设计。与当前的鳍式场效应晶体管(FinFET)相比,VTFET 有望带来翻倍的性能,减少 85% 能耗。
【IBM(IBM.US)联手三星发布“突破性”芯片设计,可减少85%能耗】IBM在新闻稿中列出了这项技术带来的潜在好处,包括:开发新的芯片架构,延长手机待机时间至一个多星期,扩展物联网(IoT)应用,减少能源密集型流程的能耗等。