抖音|IBM 和三星在半导体设计上再取得新进展！2024年或开始量产！电子商务

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近日， IBM 和三星这两家公司称，他们研发出了一种在芯片上垂直堆叠晶体管的新设计。值得一提的是，在之前的设计中，晶体管是被平放在半导体表面上的。

据悉，新的垂直传输场效应晶体管 (VTFET) 设计旨在取代当前用于当今一些最先进芯片的 FinFET 技术，并能够让芯片上的晶体管分布更加密集。这样的布局将让电流在晶体管堆叠中上下流动，而在目前大多数芯片上使用的设计中，电流则是水平流动的。
值得一提的是，这个半导体的垂直设计开始已久，并从现在通用的 FinFET 技术中获得了一定的灵感，虽然其最初的工作重点是芯片组件的堆叠而不是优化晶体管的排布。
除此之外， IBM 和三星还雄心勃勃地提出了一些大胆的想法，比如“手机充一次电用一周” 。这能让能源密集型的产业能耗大幅降低，比如数据加密；同时，这项技术甚至也可以为更强大的物联网设备甚至航天器赋能。
今年早些时候， IBM 就展示过它的首款 2nm 芯片。该芯片采用了与之前不同的方式来填充更多晶体管，方法是使用现有的 FinFET 设计扩大可以安装在芯片上的数量。然而， VTFET 技术则是更进一步，尽管距离我们看到使用这项技术的芯片面世还有很长一段时间。
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不过， IBM 不是唯一一家展望未来生产的公司。英特尔在今年夏天公布了其即将推出的 RibbonFET（英特尔首款全环栅晶体管）设计，这是其在 FinFET 技术上获得的专利。这项技术将成为英特尔 20A 代半导体产品的一部分，而 20A 代芯片则计划于 2024 年开始量产。