肉桂酸|《炬丰科技-半导体工艺》 光刻胶的化学性质( 二 )



肉桂酸|《炬丰科技-半导体工艺》 光刻胶的化学性质
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表4聚β-单皮酸偏二氧基乙酯类光致抗蚀剂的分析实例。使用方法与聚硅酸乙烯酯(例如KPR,TP R)相同。光交联如下所示,与KPR,TPR相同,

负性光致抗蚀剂和正性光致抗蚀剂都是在(1)H202+H2SO·,(2)热H2SO4,(3)(NH4)2Cr207+H2SO4等无机化学物质中溶解剥离的。正性光致抗蚀剂在光照、照射后或原样,在稍浓的碱中溶解剥离。但是,在Si中有碱金属污染的担忧的情况下,无机化学物质溶解金属,因此有不能使用的工序。此时,使用卤素溶剂、表面活性剂和由苯酚等组成的有机化学物质。上述使用药品的物品(1)在处理上有危险,(2)使用昂贵的药品,并且废液的处理很麻烦。(3)由于药品剥离后使用大量的有机溶剂进行洗涤,因此从石油化学产品的价格上涨的角度来看也是不利的。另一方面,正性抗蚀剂中容易溶于温水且可回收的剥离液已上市销售,这一点适用于避免使用等离子的工艺。
半导体、集成电路的超高密度化被积极地应用于今后的开发中,因此越来越需要亚微米的加工。 对此,如果有至今为止的深刻经验的话,暂时具有经济性的光电过程,通过使用(包括剥离),几乎可以实现目标。为此,我们希望进一步致力于高质量,高精度和高稳定性的光致抗蚀剂,特别是正型抗蚀剂和OSR型负型抗蚀剂,并且开发能够熟练使用它们的外围设备也是同样重要的。在此之前的微细加工中,我们认为将正式采用电子束光刻胶、X射线光刻胶等。