飞虹|受国产替代趋势影响国内功率器件展现新面貌

【飞虹|受国产替代趋势影响国内功率器件展现新面貌】【哔哥哔特导读】目前，受国产替代趋势的影响，国内半导体行业实现自主独立的迅速发展。其中国内功率器件企业不断加大研发与投入，部分产品与技术已达到质的飞跃，多项应用领域深入拓展，逐步实现完全的国产替代......
前言
不可否认，我国目前已经成为全球重要的半导体功率器件制造基地和应用市场。随着国家鼓励政策的大力扶持、功率器件国产化趋势显现以及下游应用领域需求增长的拉升，我国半导体功率器件行业蕴含着巨大的发展契机。据部分统计，国内多数功率器件企业在今年研发投入力度加大，实现业绩同比大幅增长，实现全面国产替代的实力与信心倍增。
产品和技术接近国际水平或实现完全替代
受益于国家对新基建项目的重视，新能源电动汽车、充电桩和5G基站建设速度迅猛。应新能源汽车续航里程提升和快速充电的要求，充电桩的功率已高达120KW到180KW。同样，5G领域也同样追求高效性，5G基站单站满载功率近3700W，约为4G基站的2.5~3.5倍，电费亦会随之攀升至3G、4G的4~5倍之大。面对这些用电大户，耗电问题将是5G时代运营商无法回避的问题。降低能耗，提升电源效率，是选择功率半导体器件时的主要考虑因素。
据了解，上海维安半导体有限公司(简称“维安”)推出高压超结MOS型号：WMJ120N60CM，导通阻抗低至16.5mΩ，和全球顶尖品牌英飞凌14mΩ参数相差无几，已达到全球领先水平。WMJ120N60CM具有业内领先的导通电阻Rdson，并且是TO-247通用封装，在有效提升电源功率密度的同时又节省了空间。目前此款产品主要面向高功率电源模块，比如新能源汽车地面充电桩模块电源，通信电源和高功率充电机等行业，在减少成本费用的情况下实现高效，加速新基建全面落地。

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近期国产替代进程中，江苏长晶科技有限公司(简称“长晶科技”)功率器件MOSFET的中低压产品也已经逐步接近国际水平，并在市场端开始批量替代。产品主要是以SGT为主，其优势在于具有较低的RDS(on)，过流能力出色，同时具有优秀的动态特性参数和快速开关切换能力。
由于深圳真茂佳半导体有限公司(简称“真茂佳”)持续地投入功率器件的研发，目前公司的中低压MOS、SiC二极管、GaN器件已经接近国际水平，能够完成完全的国外产品替代。另外，真茂佳产品拥有出色的优值、鲁棒性、可靠性，其硅基产品达到符合车规要求。
值得一提的是，目前捷捷半导体有限公司(简称“捷捷半导体”)可控硅、TVS、TSS等半导体保护器件达到国际水平，已经完全可以替代。捷捷半导体市场总监何建新表示，这一类产品，因为国内技术已经成熟，欧美品牌也是在国内工厂代工，他们自己已经没有把精力放在这些上面。
重庆平伟实业股份有限公司(简称“平伟实业”)研发生产的SGT-MOS、SiC-MOS、SiC-SBD、SJ-MOS、IGBT等半导体功率器件产品正逐步接近国际化水平。据平伟实业企宣专员李其芳介绍，公司产品广泛应用于消费电子、网络通信、工业控制等领域，目前已被联想、三星、台达、戴尔、富士康、伟创力、雅特生、比亚迪、vivo、OPPO的众多国际五百强客户认可并大量使用。

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同时广州飞虹半导体有限公司(简称“飞虹”)在功率器件MOSFET和SBD方面的产品和技术也已经接近国际水平，并且基本都实现了完全国产替代。据了解，飞虹功率器件产品在抗冲击性与稳定一致性方面很有优势。因为每颗功率器件产品从研发、小批量、大批量，都经过了严格的测试评估与验证，尤其在低内阻、一致性方面。

飞虹|受国产替代趋势影响 国内功率器件展现新面貌

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