|IGBT驱动电路|自举电容及栅极限流电阻的选取

【|IGBT驱动电路|自举电容及栅极限流电阻的选取】自举电路也叫升压电路，是利用自举升压二极管，自举升压电容等电子元件，使电容放电电压和电源电压叠加，从而使电压升高，其中有的电路升高的电压能达到数倍电源电压。

自举电容是由一个大电容和一个小电容并联构成，在频率为20KHz左右的作业状态下选用1uF的电容和0.1uF的电容进行并联运用。并联高频小电容用来吸收高频毛刺干扰电压，且主电路管上的驱动电压波形峰顶不应出现下降的现象。因此在驱动大容量的IGBT器件时，在工作频率较低的状况下要时刻留意自举电容电压的安稳性问题，而且应选用较大容量的电容。
挑选恰当的栅极限流电阻对IGBT驱动来说恰当首要，因为IGBT的开通和关断是通过栅极电路的充放电来实现的，所以栅极电阻将会对IGBT的动态特性产生极大的影响。
一方面，数值较小的栅极电阻使得栅极电容的充放电加快，同时减小开关时刻和开关损耗。同时数值较小的栅极电阻不仅增强了IGBT器材的耐固性，而且可以防止du/dt所带来的误导通，但与此同时它只能承受较小的栅极噪声，并致使栅极-发射极之间的电容同驱动电路引线的寄生电感发生振动。
另一方面，较小的栅极电阻还使得IGBT开通时di/dt变大，从而导致较高的du/dt ，增加了反向恢复二级管的浪涌电压。在低频应用状况下，开关损耗不成为一个重要的考虑要素，栅极电阻增大可以提供较慢的开通速度，这时应当思考栅极的瞬态电压和驱动电流。对于不同容量的IGBT ，其栅极限流电阻有不同的取值。通常是功率越大的IGBT的栅极电阻越小，同时对栅极驱动电路的布线也有严格的要求，引线电感应尽可能小。在实际应用过程中应根据具体的情况状况作调整，从而选取最合适的值。综上所述，选用自举驱动电路设计IGBT驱动电路时，应根据具体的应用情况采用不同的抗干扰措施。
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