IT之家 12 月 6 日消息,据中国台湾经济日报报道,台积电冲刺 3nm 制程,目前已进入试产阶段。在三星 3nm 要抢先台积电,于明年上半年量产之际,业界传出台积电正加快 3nm 量产脚步,有望至少提前一季度至明年第二季度量产。
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台积电不评论 3nm 制程相关市场传闻。业界人士指出,台积电与三星在先进制程与海外布局方面竞争激烈,三星目前在美国新厂投资规模暂时领先,意在 3nm 量产日程方面超过台积电,消息称高通、AMD 等台积电重量级客户都有意导入三星 3nm 制程。
【 台积电|消息称高通、AMD 等有意导入三星 3nm 制程,台积电加快量产脚步】业界人士透露,台积电面对三星的追赶,正积极加快 3nm 量产脚步,若能提前量产 3nm,预计第一批客户将有包括联发科、英伟达等大厂。联发科执行长蔡明介日前表示,与台积电合作紧密,5nm 及 4nm 产品已在量产过程中,3nm 会是下一个制程。
IT之家了解到,台积电与三星在 3nm 架构方面完全不同,台积电沿用既有的 FinFET 架构,三星则采用全新的 GAA 架构。
台积电原本规划,3nm 制程今年内风险性试产,预计明年下半开始量产,3nm 制程家族的 N3E 制程将于 3nm 量产之后的一年量产,3nm 家族将是另一项具大规模且长期需求的制程技术。
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