用GaNSense技术赋能氮化镓快充，纳微半导体如何做到高速度低功耗( 二 ) 你愿意花多少时间为手机充电

同时， GaNSense技术通过进一步集成在GaNFast基础上做了几大性能提升，包括无损采样、过流保护、过温保护和智能待机。其中， GaNSense技术使用无损采样代替原来的电阻功能，这将进一步提升能耗，减少PCB布局，让布局变得更为简单灵活，并通过低耦合系数降低器件本身的温度，提升整个系统的效率。
过流保护方面，纳微半导体基于采样信号，设定一个过流的阈值，触及这个阈值时反应时间小于100ns ，节省出来200ns可以避免系统因短路、过功率等造成变压器电流急剧上升的情况。
而过温保护方面，黄秀成表示：“过温保护的保护机理是通过设置一个区间，当GaN晶圆上的温度超过设定的阈值，通常是160度之后，我们会直接将芯片关闭，这样可以精准控制节温的范围。 ”

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此外， GaNSense技术还集成了智能待机降低功耗功能，在氮化镓功率芯片处于空闲模式时，自动降低待机功耗，有助于进一步降低功耗。这对越来越多积极追求环保的客户来说尤为重要。据透露与传统的硅功率芯片相比，每颗出货的GaNFast氮化镓功率芯片可以减少碳足迹4-10倍，可节省4千克的二氧化碳排放。
不止于消费市场
纳微半导体即将建设更大更强生态圈
据了解，采用GaNSense技术的新一代纳微GaNFast氮化镓功率芯片有十个型号，他们都集成了氮化镓功率器件、氮化镓驱动、控制和保护的核心技术，所有产品的额定电压为650V/800V ，具有2kVESD保护。新的GaNFast功率芯片的Rds(on)范围为120至450毫欧，采用5x6mm或6x8mmPQFN封装，具有GaNSense保护电路和无损电流感应。
作为纳微第三代氮化镓功率芯片， GaNFast氮化镓功率芯片针对现代电源转换拓扑结构进行了优化，包括高频准谐振反激式(HFQR)、有源钳位反激式(ACF)和PFC升压，这些都是移动和消费市场内流行的提供最快、最高效和最小的充电器和适配器的技术方法。据悉， GaNSense技术已被用于部分一线消费电子品牌的氮化镓充电器上。
不仅如此，纳微半导体的目标市场包括智能手机和笔记本电脑的快充充电器，估计每年有20亿美元的氮化镓市场机会，以及每年20亿美元的消费市场机会，包括一体机、电视、家庭网络和自动化设备。今年，联想最新发布的CC65WGaN氮化镓充电器便采用了纳微的NV6134GaNSense解决方案，相比硅提升了1.5%的效率。
除了消费级市场，纳微半导体还瞄准了数据中心、太阳能、电动汽车等市场。其中数据中心领域，使用氮化镓每年可以节省19亿美元的电费，而将电动汽车上使用GaNSense技术，可以让电池更小、更轻，可以增加更多的锂电池，大大提高汽车的续航。
在谈及生态建设，纳微半导体高级研发总监徐迎春表示：“在极短的时间内，纳微半导体能够帮助终端客户和ODM厂家发布160款产品，这离不开纳微半导体的生态建设，离不开现有的企业支持，以及公司技术团队的合作。 ”
写在最后
未来，氮化镓充电技术的崛起为人类生活、生产带来更多的便捷、更高的效率，而且随着云、新能源汽车等领域的发展，氮化镓将有着更广阔的发展前景。笔者有理由相信，积极布局氮化镓功率芯片的纳微半导体，必将扬帆起航，为社会创造更快、更稳、更健康的充电方式。
【用GaNSense技术赋能氮化镓快充，纳微半导体如何做到高速度低功耗】备注：GaNSense、GaNFast均为纳微半导体注册商标