本月22日 ， 韩国半导体工业协会成立30年纪念活动在首尔举办 。
与会期间 ， SK海力士CEO Seok-hee Lee（李锡熙）和媒体交流时谈到了无锡海力士半导体工厂相关情况 。
【SK海力士|SK海力士：正积极争取为无锡存储工厂引进EUV光刻机】关于EUV光刻机进厂可能延期的问题 ， 李锡熙表示 ， 正与美方合作 ， 进展良好 。EUV光刻技术已经在韩国本土的DRAM产线上应用 ， 中国工厂还有充足的时间供斡旋沟通 。
据悉 ， SK海力士将基于EUV光刻机制造10nm DRAM芯片 ， 也就是第四代内存 。无锡工厂同样计划应用相关技术 ， 目前正寻求多种途径克服困难 ， 毕竟它是一家韩国企业 。
资料显示 ， 无锡海力士工厂的DRAM产能大约占SK海力士全球产能的15% 。

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