美光科技|存储密度一下提高40％！不采用EUV美光最新1α纳米DRAM如何做到的？( 二 )

Chandrasekaran先生说：“我们需要在材料，工艺和设备方面不断创新，以满足扩展需求。” “我们正在当前和将来的技术中实施几种这样的解决方案。关于EUV，正如我们强调的那样，我们专有和创新的多图案技术能够满足我们的性能和成本要求。通过我们的制程解决方案和先进的控制能力，我们就能满足技术节点的要求。”
美光认为，未来几年，EUV增强的制造技术所带来的改进将被设备成本和生产困难所抵消，因为就DRAM生产而言，EUV仍处于早期阶段。例如，美光最近展示的一张幻灯片表明，EUV成本过高，可伸缩性优势可忽略不计，关键尺寸（CD）均匀性不完美（这可能会影响质量和性能），而周期时间却没有显着减少，因为生产率EUV光刻机的数量仍然落后于DUV光刻机。

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美光科技开发高级副总裁说：“当前的EUV工具不具备先进浸入技术所具备的功能。” “尽管采用EUV技术进行了改进，但其成本和性能仍落后于当前的多图案和先进的浸入技术。我们正在不断评估EUV，并相信在未来三年内EUV将取得必要的进展，以在成本和成本方面进行竞争。先进的pitch倍增和浸入技术来提高性能。美光正在评估EUV，并将在满足我们要求的合适时间推出它。
换而言之，美光公司正在开发的的1β和1节点将不会使用任何EUV层。取而代之的是，该公司将继续使用多图案技术，并责成其工程师设计尽可能高效的DRAM，以确保其设备在比特密度，功率和性能方面具有竞争力。
Chandrasekaran先生说：“ EUV不一定被认为是扩大规模的关键因素。美光公司具有先进的光刻能力和pitch倍增方法来满足图案化要求，并具有前沿技术来确保一层到另一层的良好覆盖。”
【美光科技|存储密度一下提高40％！不采用EUV美光最新1α纳米DRAM如何做到的？】但是，下一代光刻技术是不可避免的，因此美光无法忽略EUV。对于目前处于探索模式的1节点，该公司正在考虑EUV和多图案。此外，该公司正在评估各种设计架构。