to|关于摩尔定律那些事:失效在即,如何延续?( 二 )
几年前开始,大家看报纸和杂志都会看到,很多人都在提,摩尔定律是不是走不下去了?是不是要撞到墙了?是不是大家开始没办法跟上它的脚步了?
诚然,有一些真真实实的数据,证明这个脚步越来越艰难。
每一个节点依次上量的时间点,原来每两年有一个节点,到14nm开始已经拖慢了,10nm、7nm拖得更慢了。一个芯片的大小,做一个芯片到底能做多大?其实是用光照决定的,目前大概就是3.3公分×3.3公分的芯片。图上的红点,是server级的芯片大小,那个年代做出领先市场的CPU或GPU,大小都离光照机器人很远。但是2016年开始到2017年、2018年,慢慢开始突破光照极限了,这是从另外一个角度来看摩尔定律是不是产生了问题,对我们的生活是不是带来了影响,这是否表示,我们无法作出效能更高、算力更强的芯片?这会减缓我们整个科技进步的脚步,所以大家才会担心。
为什么会越走越慢?我们也可以看看到底这几年来遇到了什么问题。
从1965年到 0.35um、0.25um、0.18um,没有什么问题,绝大多数是工程上的问题,工程上的问题努努力就能解决。
接下来,会遇到物理上的问题。
首先,通互联。芯片越做越小,塞的晶体管越来越多,用铝布线,很快就会产生电子迁移的问题,动力变短,芯片用不了几年会坏掉,也会遇到光刻机的问题,原来用的光刻机光源不够细,要改成193的,必须从半导体制程工艺里从铝改成铜,这对制造工艺来讲是非常大的挑战。
大家看整个构造,因为有一些透镜和光学系统,要细一点,193nm的光源,极限大概是45nm,就没办法再微缩下去了。这时候就有更聪明的人在想,透镜没办法解决,能不能在透镜和微片之间加一滴水,水能够折射,把它从45nm往下微缩一些,所以最后有一个浸没式的光刻出来。
做到了28nm,然后又遇到了问题,开始漏电,所以只能换材料。原来用的是偏氧化硅的东西,中间的绝缘层要全部换掉,这种更换,代表了物理、制程上的挑战,有各式各样的实验。
再往下走大家就知道了,2D解决不了漏电、质量的问题,但是有FinFET出来,本身晶体管的构架变成了3D,就像长了一个翅膀一样。因为光源没有解决,所以从10nm、7nm开始,要用多层光照画线,原来画一条线就可以解决,现在光本身就比线要粗,怎么办?左边曝一次光,右边曝一次光,中间留下的细缝,刚好就是6nm,但制程成本会非常高。
种种的物理问题,层出不穷地出现,我们接下来还可以看到,有更多的问题要解决。不过重点是,这些问题也算解决了。
中轴,是Cadence公司为了解决这个问题写的行数,从“0.35um”一直到今天做到10nm、7nm的时候,原来几十万行、几百万行的程序,大概已经到了几千万行,完全不输一台自驾车,很难超过一台自驾车。
同样带来的问题,无论从制程上来看,还是从EDA编程角度来看,每一个晶体管的成本开始往上跳,成本触底。
1965年到触底为止,每一根晶体管的价格在每一个时代都是往下掉的,所以说不需要花脑筋,就可以往下一个制程工艺走,除非你用不了这个工艺,只要你的量不会差太多,就可以省钱,这是半导体过去几十年来发展的真正定律。
可是到了20nm、16nm后,成本开始增加了,大部分做生意的人开始问自己,到底要不要用下一代制程,用了有什么好处,省的是什么成本,如果把成本所有东西包进去,你的成本越来越高,到底能不能做?
就在20nm的时候,我也参加过行业很多讨论,大家觉得半导体几乎快走到终点了,尤其是硅,成本增加后,还有几家公司会用这个制程工艺?
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