极紫外光刻|挑战EUV光刻：NIL靠谱吗？一文秒懂( 三 ) 挑战EUV光刻：NIL靠谱吗？一文

对于 14nm，这意味着 2.1nm - 2.8nm 。DRAM 器件设计也具有挑战性，并且布局并不总是有利于间距划分方法，例如自对准双图案化 (SADP) 和自对准四重图案化 (SAQP) 。这使得直接印刷工艺NIL成为一种很有竞争力的解决方案。
NIL的进展
日本存储器大厂铠侠（Kioxia）与佳能，以及光罩/半导体厂商大日本印刷株式会社（DNP），经过了4年的研发，于近期研发出了NIL的量产技术。
目前，铠侠已将其应用到了15nm的NAND闪存制造上，并表示到2025年应该可以应用到5nm的芯片制造上。
铠侠表示，NIL 技术与EUV光刻技术相比，可以大幅度的减少能耗，转化效率高，耗电量可压低至EUV 技术的10%，同时，NIL设备也很便宜，投资可降低至EUV光刻机的40% 。
有专业人士指出，NIL技术也许能够推进芯片制程至5nm，但可能更适应于NAND这种3D堆叠的闪存芯片，不一定适用于所有芯片。合作厂商之一的佳能，则表示要努力将NIL 量产技术广泛应用于制造DRAM 及PC 用的CPU 等逻辑芯片的设备上。