半导体|中国半导体传来好消息！突围路线基本定调：自建体系，不依赖EUV光刻机( 二 ) 极紫外光刻|光刻机|芯片

再简单聊一下中期换道路径，这是未来5-10年中国半导体的发展路径，简而言之就是用FD-SOI（全耗尽型绝缘体上硅）技术代替目前主流的FinFET技术。
FD-SOI和FinFET的路线之争由来已久， FD-SOI于2000年发布，立体型结构的FinFET晶体管技术于1999年发布。可别小看这一年的差距，由于FD-SOI诞生时间相对较晚，在技术初期探索阶段没有出现具有市场竞争力的产品。
而更早发布的FinFET技术凭借先发优势，率先大规模商业化，英特尔从酷睿i7-3770平台就开始大规模使用了该技术，随后台积电的FinFET产品也大获成功，而高产能、高质量的FD-SOI衬底制备技术在当时仍不成熟因此错过了占领市场的黄金窗口。

但其实成熟的FD-SOI技术在某些方面比FinFET技术更具优势。比如， FinFET技术由于采用三维结构，工艺复杂，成本极高；并且7纳米开始就必须引入EUV光刻机，导致芯片设计和芯片制造成本大幅增加。
IBS的CEO Handel Jones对半导体工艺成本有非常深入的研究，他曾经指出，在相同的条件下， 12nm FD-SOI的工艺要比7nm FinFET工艺在成本上低27% 。
此外，在设计成本上， 12nm FD-SOI工艺的设计成本大概在5000万美元到5500万美元，而16nm FinFET的设计成本就已经达到了7200万美元。

对于中国来说， FD-SOI工艺最重要的优势是门槛低，更容易进入中国。 FinFET技术目前已经通过并购等方式集中在少数几家国际晶圆厂巨头手中，在当下的国际形势下，先进的FinFET技术已经很难进入国内。然而FD-SOI全球产业生态圈目前还不太完善，让我们看到了突破的希望。
叶甜春总师强调，国产平面工艺设备自主率高达70% ，有能力支撑FD-SOI技术开发，预计10年内对EUV光刻机没有依赖。
最后再讲一讲中国半导体远期换道路径，这个主要是针对未来10-15年的发展路线，主要的关键词是垂直器件三维电路。垂直型IC架构是未来半导体工艺的发展方向，但是对芯片设计公司、EDA软件以及其他芯片制造环节都提出了巨大的挑战。

垂直IC架构的目的是向上堆叠立体集成，尽量提高集成度，它要求芯片设计工程师将更多的晶体管装入固定空间。标准单元体积塞入更多晶体管，这意味着芯片的性能将会更高，功耗也会更低，应用潜力巨大。
总而言之，这三条中国半导体换道路径给行业发展指明了方向，也给我们树立了极大的信心。既然要制裁我们，那么就换条路线，肯定能突围！

叶甜春总师也表示，过去12年，中国集成电路建立了完整的芯片工业体系，研发、设计、制造、终端、晶圆等方面均有布局，并且保持了高速增长，这是我们保持信心的基础。
我也相信，在产学研界不断努力下，在国家政策的大力支持下，中国一定能够建立起自己的半导体体系，一定能排除万难，突破封锁！